LM431
SNVS020G - 2000年5月 - 修订2013年4月
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DC测试电路
注意：
V
Z
= V
REF
（1 + R1 / R2） + I
REF
R1
图4.测试电路V
Z
= V
REF
图5.测试电路V
Z
＆ GT ; V
REF
图6.测试电路断态电流
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作温度范围
焊接信息
阴极电压
连续阴极电流
参考电压
参考输入电流
内部功耗
(3) (4)
TO- 92封装
SOIC封装
SOT- 23封装
(1)
(2)
(3)
(4)
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
65°C
至+ 150°C
40°C
至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235°C
260C （铅温度。 ）
37V
10
mA至150毫安
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
经营超过其额定工作条件下的设备。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
T
j max的情况
= 150°C.
等级适用于环境温度在25℃ 。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ ° C，采用SOIC为6.5毫瓦/ ° C时，
SOT- 23为2.2毫瓦/ ℃。
工作条件
民
阴极电压
阴极电流
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
2
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LM431
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