LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2005年3月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
01005528
01005501
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
01005554
01005502
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
注意：
* NC =无内部连接。必须从电路中的microSMD封装的其余部分隔离。
2005美国国家半导体公司
DS010055
www.national.com
LM431
订购信息
包
典型精度订单编号/包
记号
0.5%
TO-92
LM431CCZ/
LM431CCZ
LM431CIZ/
LM431CIZ
SO-8
LM431CCM/
431CCM
LM431CCMX/
431CCM
LM431CIM/
431CIM
LM431CIMX/
431CIM
SOT-23
LM431CCM3/
N1B
1%
LM431BCZ/
LM431BCZ
LM431BIZ/
LM431BIZ
LM431BCM/
431BCM
2%
LM431ACZ/
LM431ACZ
LM431AIZ/
LM431AIZ
LM431ACM/
LM431ACM
0 ° C至+ 70°C
轨道
-40 ° C至+ 85°C
轨道
0 ° C至+ 70°C
磁带&卷轴
M08A
轨道
-40 ° C至+ 85°C
带&Reel
轨道
0 ° C至+ 70°C
磁带&卷轴
MF03A
轨道
-40 ° C至+ 85°C
带&Reel
250个单位和磁带
REEL
3K单位和磁带
REEL
Z03A
温度
范围
传输介质
NSC
制图
LM431BCMX / LM431ACMX /
431BCM
LM431ACM
LM431BIM/
431BIM
LM431BIMX/
431BIM
LM431AIM/
LM431AIM
LM431AIMX/
LM431AIM
LM431BCM3 / LM431ACM3 /
N1D
N1F
LM431CCM3X / LM431BCM3X / LM431ACM3X /
N1B
N1D
N1F
LM431CIM3
N1A
LM431CIM3X
N1A
微型SMD
–
–
LM431BIM3
N1C
LM431AIM3
N1E
LM431BIM3X LM431AIM3X
N1C
N1E
LM431AIBP
LM431AIBPX
（注1 ）
-40 ° C至+ 85°C
BPA04AFB
注1 ：
微型SMD封装标识仅1位数的制造日期代码
微型SMD顶视图标记示例
01005556
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2
LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150
mA
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3 ，
4)
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
工作条件
民
阴极电压
阴极电流
V
REF
1.0毫安
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1中
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1中
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1中
)
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1中
)
I
Z
= 10毫安
（图2中
)
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2中
)
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2中
)
V
Z
= V
REF
（图1中
)
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图* NO
目标网络连接*
)
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1中
)
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1中
)
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
www.national.com
4
LM431可调式精密齐纳并联稳压器
2000年5月
LM431
可调式精密齐纳并联稳压器
概述
该LM431是一个具有三端可调分流稳压器
在整个温度保证温度稳定性
操作范围。它现在可以在一个芯片尺寸封装
年龄（ 4焊球micro SMD ）采用美国国家半导体的微型SMD封装
时代的技术。输出电压可以设定在任意水平
大于2.5V （V
REF
）高达36V仅仅通过选择两个
外部电阻器，其作用为电压除以网络。应有
在急转弯式的特点该设备是一个excel-
更换借给许多齐纳二极管的应用。
特点
n
平均温度系数为50ppm /°C的
n
在整个操作温度补偿
温度范围
n
可编程输出电压
n
快速导通响应
n
低输出噪声
n
LM431的micro SMD封装
连接图
TO- 92 ：塑料包装
SOT- 23 ： 3引脚小外形
DS010055-28
DS010055-1
顶视图
4焊球micro SMD
顶视图
SO - 8 ： 8引脚表面贴装
DS010055-54
DS010055-2
顶视图
顶视图
（ BUMP面朝下）
2000美国国家半导体公司
DS010055
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LM431
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
阴极电压
连续阴极电流
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235C
260C （铅温度。 ）
37V
-10 mA至150毫安
参考电压
参考输入电流
内部功率耗散（注3,4）
TO- 92封装
SO- 8封装
SOT- 23封装
micro SMD封装
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
0.30W
工作条件
阴极电压
阴极电流
民
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
LM431
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图1）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图1）
V
开发
参考输入电压偏差过
温度（注5 ）
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
I
REF
∝
I
REF
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗（注6 ）
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图1）
I
Z
= 10毫安
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
1.4
1.0
2.0
2.7
2.0
4.0
A
mV / V的
8.0
17
mV
2.485
2.500
2.510
V
2.470
2.495
2.520
V
民
2.440
典型值
2.495
最大
2.550
单位
V
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安
（图2）
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞
,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图2）
V
Z
= V
REF
（图1）
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V
（图3）
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图1）
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图1）
0.4
0.4
0.3
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
A
mA
A
注2 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注3 ：
T
j max的情况
= 150C.
注4 ：
额定功率适用于环境温度在25℃。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ C ，采用SO-8在6.5毫瓦/ C ，采用SOT -23为2.2毫瓦/ C
并采用micro SMD封装在为3mW / C 。
注5 ：
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为参考输入电压在整个温度范围内的最大变化。
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4
LM431
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SNVS020G - 2000年5月 - 修订2013年4月
LM431可调式精密齐纳并联稳压器
检查样品：
LM431
1
特点
平均温度系数为50ppm /°C的
在操作温度补偿
整个温度范围内
可编程输出电压
快速导通响应
低输出噪声
描述
该LM431是三端可调分流稳压器
与在整个确保的温度稳定性
温度范围内操作。输出电压
可以设定在任何水平大于2.5V （Ⅴ
REF
）至多
36V仅仅通过选择两个外部电阻器的
充当电压除以网络。由于尖锐
导通特性该设备是一个很好的
替代许多齐纳二极管的应用。
2
接线图
图1. TO- 92 ：塑料包装
顶视图
A.
注： NC =无内部连接。
图2. SOT- 23 ： 3引脚小外形
顶视图
图3. SOIC 8引脚表面贴装
顶视图
符号和逻辑图
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2000至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM431
SNVS020G - 2000年5月 - 修订2013年4月
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DC测试电路
注意：
V
Z
= V
REF
（1 + R1 / R2） + I
REF
R1
图4.测试电路V
Z
= V
REF
图5.测试电路V
Z
＆ GT ; V
REF
图6.测试电路断态电流
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作温度范围
焊接信息
阴极电压
连续阴极电流
参考电压
参考输入电流
内部功耗
(3) (4)
TO- 92封装
SOIC封装
SOT- 23封装
(1)
(2)
(3)
(4)
工业（ LM431xI ）
商业（ LM431xC ）
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
65°C
至+ 150°C
40°C
至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
235°C
260C （铅温度。 ）
37V
10
mA至150毫安
0.5V
10毫安
0.78W
0.81W
0.28W
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
经营超过其额定工作条件下的设备。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
T
j max的情况
= 150°C.
等级适用于环境温度在25℃ 。高于这个温度，减免的TO- 92为6.2毫瓦/ ° C，采用SOIC为6.5毫瓦/ ° C时，
SOT- 23为2.2毫瓦/ ℃。
工作条件
民
阴极电压
阴极电流
V
REF
1.0毫安
最大
37V
百毫安
2
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LM431
版权所有 2000至13年，德州仪器
LM431
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SNVS020G - 2000年5月 - 修订2013年4月
LM431电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431A
（图
4
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431B
（图
4
)
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安
LM431C
（图
4
)
V
开发
ΔV
REF
/ΔV
Z
I
REF
∝I
REF
I
Z（ MIN ）
I
Z（ OFF ）
r
Z
参考输入电压偏差过
温度
(1)
变化的参考电压的比值
在变化阴极电压
参考输入电流
参考输入电流偏差过
温度
最小阴极电流进行调节
FF-态电流
动态输出阻抗
(2)
民
2.440
2.470
2.485
典型值
2.495
2.495
2.500
8.0
1.4
1.0
2.0
0.4
0.4
0.3
最大
2.550
2.520
2.510
17
2.7
2.0
4.0
1.2
1.0
1.0
0.75
0.50
单位
V
V
V
mV
mV / V的
μA
μA
mA
μA
Ω
Ω
V
Z
= V
REF
, I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图
4
)
I
Z
= 10毫安
（图
5
)
V
Z
从V
REF
至10V
V
Z
从10V到36V
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞,
I
I
= 10毫安
（图
5
)
R
1
= 10千欧，R
2
=
∞,
I
I
= 10毫安，
T
A
=全系列
（图
5
)
V
Z
= V
REF
（图
4
)
V
Z
= 36V, V
REF
= 0V （图
6)
V
Z
= V
REF
， LM431A ，
频率= 0 Hz的
（图
4
)
V
Z
= V
REF
， LM431B ， LM431C
频率= 0 Hz的
（图
4
)
(1)
参考输入电压，V的偏差
开发
被定义为所述参考输入电压在整个温度的最大变化
范围内。
参考输入电压的平均温度系数，
∝V
REF
，是德网络定义为：
其中：
T
2
T
1
=完整的温度变化（ 0-70℃ ） 。
V
REF
可以是正的或负的取决于斜率是正的还是负的。
例如： V
开发
= 8.0毫伏，V
REF
= 2495毫伏，T
2
T
1
= 70°C ，斜率是正的。
(2)
动态输出阻抗，R
Z
，是德网络定义为：
当对器件进行编程与两个外部电阻R1和R2 （见
图5
） ，整体的动态输出阻抗
电路中，R
Z
，是德网络定义为：
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等效电路
4
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典型性能特性
输入电流
vs
V
Z
热信息
图7 。
输入电流
vs
V
Z
网络连接gure 8 。
动态阻抗
vs
频率
图9 。
稳定边界条件
网络连接gure 10 。
注意：
曲线下的面积代表条件可
导致器件振荡。对于曲线B，C和D ，R 2和V
+
为
调节建立初始V
Z
我
Z
用C条件
L
= 0. V
+
和C
L
然后，调整为确定的稳定的范围。
图11 。
图12 。
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