LMV721 / LMV72210MHz ，低噪声，低电压，低功耗运算放大器
1999年8月
LMV721/LMV722
的10MHz ，低噪声，低电压和低功耗
运算放大器连接器
概述
该LMV721 （单）和LMV722 （双），低噪声，低
电压和低功耗的运算放大器，也可以设计成
了广泛的应用。该LMV721 / LMV722有
为10MHz单位增益带宽， 5V / us的压摆率和
930uA /放大器在2.2V静态电流。
该LMV721 / 722被设计为提供最佳perfor-
曼斯在低电压和低噪声系统。它们提供
轨到轨输出摆幅为重物。输入
共模电压范围包括地面，并且
最大输入失调电压为3.5mV （温度过高）的
该LMV721 / LMV722 。他们的容性负载能力也
在低电源电压良好。公司经营范围为
2.2V至5.5V 。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的亚微米
硅栅BiCMOS工艺。单机版， LMV721 ，
在5引脚SOT23-5和SC- 70 （新）封装。
双版本， LMV722 ，可在一个SO -8和
MSOP - 8封装。
特点
（对于典型的， 5 V电源值;除非另有说明）
n
保证2.2V和5.0V表现
n
低电源电流LMV721 / 2 930μA /放大器
@
2.2V
n
高单位增益带宽10MHz的
n
轨到轨输出摆幅
@
从任一轨为2.2V 600Ω负载为120mV
@
从任一轨为2.2V为2kΩ负载为50mV
n
输入共模电压范围包括地
n
硅尘
， SC70-5封装2.0x2.0x1.0毫米
@
F = 1kHz时
n
输入电压噪声9
应用
n
n
n
n
蜂窝式的无绳电话
有源滤波器和缓冲器
笔记本电脑和掌上电脑
电池供电的电子产品
连接图
5引脚SC- 70 / SOT23-5
8引脚SO / MSOP
DS100922-99
DS100922-63
顶视图
顶视图
硅尘
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS100922
www.national.com
5V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
压摆率
增益Bandwdth产品
相位裕度
增益裕度
输入相关的电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1kHz时，A
V
= 1
R
L
= 600, V
O
= 1 V
PP
参数
（注7 ）
条件
典型值
（注5 ）
5.25
10.0
72
11
8.5
0.2
L
＆ GT ;
1 M.
单位
V / μs的
民
兆赫
度
dB
0.001
%
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号， 200Ω串联100 pF的。
注3 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。输出电流的过量为30 mA以上长期可能不利地影响可靠性。
注4 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 ：
接成电压跟随器与1V阶跃输入。指定数目的正和负转换速率较慢。
5
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LMV721,LMV722
LMV721 / LMV722的10MHz ，低噪声，低电压和低功耗运算
扩音器
文献编号： SNOS414G
LMV721 / LMV722的10MHz ，低噪声，低电压，低功耗运算放大器
2008年7月2日
LMV721/LMV722
的10MHz ，低噪声，低电压和低功耗
运算放大器连接器
概述
该LMV721 （单）和LMV722 （双），低噪声，低
电压和低功耗的运算放大器，也可以设计成
广泛的应用。该LMV721 / LMV722拥有一支团结
增益带宽为10MHz ， 5V / us的压摆率和quies-
930uA /放大器在2.2V百分之电流。
该LMV721 / 722被设计为提供最佳perfor-
曼斯在低电压和低噪声系统。它们提供
轨到轨输出摆幅为重物。输入共
模电压范围包括地面，和最大输入
失调电压3.5mV是（温度过高）的LMV721 /
LMV722 。他们的容性负载能力也不错，在低
电源电压。公司经营范围为2.2V至5.5V 。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的亚微米硅
门BiCMOS工艺。单机版， LMV721 ，是可用
能够在5引脚SOT23-5和SC- 70 （新）封装。双
版本， LMV722 ，可在一个SO- 8 ， MSOP - 8和8引脚
LLP封装。
特点
（对于典型的， 5 V电源值;除非另有说明）
■
保证2.2V和5.0V表现
■
低电源电流LMV721 / 2 930μA /放大器@ 2.2V
■
高单位增益带宽10MHz的
■
轨到轨输出摆幅
@600
从任一轨为2.2V负载为120mV
从任一轨为2.2V @ 2kΩ的负载为50mV
■
输入共模电压范围包括地
■
硅尘 ， SC70-5封装2.0x2.0x1.0毫米
■
小型封装： LLP - 8 2.5毫米×型3mm x 0.8毫米
■
输入电压噪声
应用
■
■
■
■
蜂窝式的无绳电话
有源滤波器和缓冲器
笔记本电脑和掌上电脑
电池供电的电子产品
典型用途
电池供电的麦克风前置放大器
10092244
硅尘是美国国家半导体公司的商标。
2008美国国家半导体公司
100922
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LMV721/LMV722
5V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入相关的电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1kHz时，A
V
= 1
R
L
= 600,
V
O
= 1 V
PP
参数
（注7 ）
条件
典型值
（注5 ）
5.25
10.0
72
11
8.5
0.2
单位
V / μs的
兆赫
度
dB
0.001
%
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号， 200Ω串联100 pF的。
注3 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。输出电流的过量为30 mA以上长期可能不利地影响可靠性。
注4 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 ：
接成电压跟随器与1V阶跃输入。指定数目的正和负转换速率较慢。
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4
LMV721 -N ， LMV722 -N
www.ti.com
SNOS414I - 1999年8月 - 修订2013年8月
LMV721 -N / LMV722的10MHz ，低噪声，低电压，低功耗运算放大器
检查样品：
LMV721 -N ， LMV722 -N
1
特点
（对于典型的， 5 V电源值;除非
另有说明）
有保证的2.2V和5.0V表现
低电源电流LMV721 -N / 2
930μA /放大器在2.2V
高单位增益带宽10MHz的
轨到轨输出摆幅
- 从任一供电轨600Ω负载时为120mV
2.2V
- 在2kΩ的从任一供电轨50mV的负载为2.2V
输入共模电压范围包括
地
硅尘， SC70-5封装2.0x2.0x1.0毫米
输入电压噪声9内华达州/ √Hz的在f = 1KHz的
描述
该LMV721 -N （单）和LMV722 （双）低
噪声，低电压，低功耗运算放大器，可
被设计成广泛的应用。该
LMV721 -N / LMV722具有单位增益带宽
10MHz时， 5V / us的压摆率和静态电流
的930uA /放大器为2.2V 。
该LMV721 -N / 722被设计为提供最佳
表现在低电压和低噪声系统。
它们提供轨到轨输出摆幅为重
负载。输入共模电压范围
包括地面，和最大输入偏移
电压为3.5mV （温度过高）的LMV721-
N / LMV722 。他们的容性负载能力也
在低电源电压良好。公司经营范围是
从2.2V到5.5V 。
该芯片内置了TI先进的亚微米
硅栅BiCMOS工艺。单机版，
LMV721 -N ，是在5引脚SOT- 23和SC70提供
（新）封装。双版本， LMV722 ，是
可以采用SOIC -8和VSSOP -8封装。
2
应用
蜂窝式的无绳电话
有源滤波器和缓冲器
笔记本电脑和掌上电脑
电池供电的电子产品
典型用途
图1.电池供电的麦克风前置放大器
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMV721 -N ， LMV722 -N
SNOS414I - 1999年8月 - 修订2013年8月
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(1) (2)
绝对最大额定值
ESD容差
(3)
人体模型
机器型号
差分输入电压
电源电压（V - V）
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
储存温度。范围
结温
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
+
2000V
100V
电源电压
6V
235°C
65°C
至150℃
150°C
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号， 200Ω串联100 pF的。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
(1)
工作额定值
电源电压
温度范围
热阻（ θ
JA
)
硅尘SC70-5 PKG
小型SOT - 23封装
2.2V至5.5V
-40°C ≤T
J
≤85°C
440°C/W
265 ° C / W
190°C/W
235 ° C / W
145°C/W
SOIC封装， 8引脚表面贴装
VSSOP封装， 8引脚微型表面贴装
SOIC封装， 14引脚表面贴装
(1)
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路动作可能会导致
超过150℃的最大允许结温。输出电流的过量为30 mA以上长期可不利地
影响可靠性。
2.2V DC电气特性
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 2.2V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CM
A
V
输入失调电压
输入失调电压漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压范围
大信号电压增益
0V
≤
V
CM
≤
1.3V
2.2V
≤
V
+
≤
5V, V
O
= 0 V
CM
= 0
对于CMRR
≥
50dB
R
L
=600
V
O
= 0.75V到2.00V
R
L
= 2k
V
O
= 0.50V到2.10V
测试条件
典型值
(1)
极限
3
3.5
(2)
单位
mV
最大
μV/°C
nA
nA
0.02
0.6
260
25
88
90
0.30
1.3
81
84
70
64
70
64
dB
民
dB
民
V
V
75
60
75
60
dB
民
dB
民
(1)
(2)
2
典型值代表最可能的参数指标。
所有参数均通过测试或统计分析说明。
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LMV721 -N LMV722 -N
LMV721 -N ， LMV722 -N
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2.2V直流电气特性（续）
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 2.2V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
V
O
输出摆幅
测试条件
R
L
= 600Ω ，以V / 2
+
典型值
(1)
极限
(2)
单位
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
mA
最大
2.125
0.071
2.090
2.065
0.120
0.145
2.150
2.125
0.080
0.105
10.0
5.0
10.0
5.0
1.2
1.5
2.2
2.6
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
2.177
0.056
I
O
输出电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
（差异） = ± 0.5V
下沉，V
O
= 2.2V
V
IN
（差异） = ± 0.5V
14.9
17.6
0.93
1.81
I
S
电源电流
LMV721-N
LMV722
2.2V AC电气特性
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 2.2V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1
MΩ.Boldface限制适用于极端温度。
参数
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
(1)
(2)
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1kHz的
V
= 1
R
L
= 600, V
O
= 500 mV的
PP
(2)
测试条件
典型值
10
(1)
单位
V / μs的
兆赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
4.9
67.4
9.8
9
0.3
0.004
典型值代表最可能的参数指标。
接成电压跟随器与1V阶跃输入。指定数目的正和负转换速率较慢。
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CM
输入失调电压
输入失调电压漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压范围
0V
≤
V
CM
≤
4.1V
2.2V
≤
V
+
≤
5.0V, V
O
= 0 V
CM
= 0
对于CMRR
≥
50dB
测试条件
典型值
(1)
极限
3
3.5
(2)
单位
mV
最大
μV/°C
nA
nA
0.08
0.6
260
25
89
90
0.30
4.1
70
64
70
64
dB
民
dB
民
V
V
(1)
(2)
典型值代表最可能的参数指标。
所有参数均通过测试或统计分析说明。
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3
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LMV721 -N ， LMV722 -N
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5V直流电气特性（续）
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
A
V
大信号电压增益
测试条件
R
L
= 600
V
O
= 0.75V到4.80V
R
L
= 2k,
V
O
= 0.70V到4.90V ，
V
O
输出摆幅
R
L
= 600Ω到V
+
/2
典型值
87
94
4.882
0.134
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
4.952
0.076
I
O
输出电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
（差异） = ± 0.5V
下沉，V
O
= 5V
V
IN
（差异） = ± 0.5V
I
S
电源电流
LMV721-N
LMV722
52.6
23.7
1.03
2.01
(1)
极限
80
70
85
70
(2)
单位
dB
民
dB
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
mA
最大
4.840
4.815
0.190
0.215
4.930
4.905
0.110
0.135
25.0
12.0
15.0
8.5
1.4
1.7
2.4
2.8
5V AC电气特性
除非另有说明，所有参数对于T指定
J
= 25°C 。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入相关的电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1kHz时，A
V
= 1
R
L
= 600, V
O
= 1 V
PP
(2)
测试条件
典型值
(1)
单位
V / μs的
兆赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
5.25
10.0
72
11
8.5
0.2
0.001
(1)
(2)
典型值代表最可能的参数指标。
接成电压跟随器与1V阶跃输入。指定数目的正和负转换速率较慢。
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典型性能特性
电源电流
与
电源电压（ LMV721 -N ）
目前采购
与
输出电压（V
S
= 2.2V)
图2中。
网络连接gure 3 。
吸收电流
与
输出电压（V
S
= 2.2V)
采购电流 -
输出电压（V
S
= 5V)
图4中。
吸收电流
与
输出电压（V
S
= 5V)
图5中。
输出电压摆幅
与
电源电压（R
L
= 600)
图6 。
图7 。
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