LM158QML
SMD 5962-8771003 ， ELDRS免费只
DC漂移参数
以下条件适用，除非另有规定。所有电压参考器件接地。
三角洲计算在B组，只有小组5 QMLV设备上执行。
符号
V
IO
参数
输入失调电压
条件
+V
CC
= 30V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28.5V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
±I
IB
输入偏置电流
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
（注6 ）
-10
10
nA
1
-0.5
0.5
mV
1
-0.5
0.5
mV
1
笔记
民
-0.5
最大
0.5
单位
mV
SUB -
群体
1
SMD 5962-8771003 ， ELDRS免费只
100K邮政辐射限值@ + 25°C
（注12 ）
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
V
IO
参数
输入失调电压
所有电压参考器件接地。
笔记
（注12 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注6 ，
12)
民
-4.0
-4.0
-4.0
-60
最大
4.0
4.0
4.0
-1.0
单位
mV
mV
mV
nA
子 -
群体
1
1
1
1
条件
+V
CC
= 30V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28.5V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50,
V
O
= 1.4V
±I
IB
输入偏置电流
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
注2 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注3 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包
结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
注4 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，最大输出
电流为V的量值的约40毫安独立
+
。在超过+ 15V电源电压的值，连续短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。破坏性的功耗可能会导致从所有放大器同时短裤。
注5 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP的集电极 - 基极结
晶体管成为正向偏置，从而充当输入二极管钳位。除了这个二极管动作，也有横向的NPN寄生晶体管作用
上的IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压，以调出V
+
电压电平（或以地面为一个大的过驱动）的时间
持续时间的输入被驱动为负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次
返回的值大于-0.3V （在25℃ ） 。
注6 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出状态的
所以存在着在输入线没有装载变化。
注7 ：
无论是输入信号电压的输入共模电压不应低于0.3V （25℃）去阴性了。的上端
共模电压范围为V
+
-1.5V （在25℃ ），但其中一个或两个输入都可以去到+ 32V而不损坏，独立Ⅴ的大小的
+
.
注8 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注9 ：
通过输入失调电压保证。
注10 ：
保证参数未经测试。
注11 ：
前置和后置的照射范围是相同的，除非在后辐射限值表列出在AC和DC电气特性列出。
这些部件可以是剂量率在空间环境敏感，表明增强的低剂量率敏感度。为表示辐射终点极限
参数只能保证的条件在MIL -STD- 883规定，每个测试方法1019 ，条件A.
注12 ：
前置和后置的照射范围是相同的，除非在后辐射限值表列出在AC和DC电气特性列出。
这些部件可以是在高剂量的环境敏感。低剂量率的测试晶圆由晶圆基础上已经进行，每个测试方法1019 ，成色
MIL -STD - 883的D，没有增强的低剂量率的敏感性（ ELDRS ） 。
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