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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
写AC特点
图25 ： CE ＃ -Controlled程序AC时序（ 16位模式）
第三轮
t
WC
第四轮
数据轮询
A [最大： 0 ]
555h
t
AS
t
WS
t
WH
PA
t
AH
PA
WE＃
t
GHEL
OE ＃
t
CP
t
CPH
CE＃
t
DS
t
WHWH1
DQ [15：0 ]
AOH
t
DH
PD
DQ7#
D
OUT
注意事项：
该程序指令1.只有第三和第四个周期的代表。亲
GRAM命令后面通过检查状态寄存器的数据轮询位。
2. PA指的是存储单元的地址进行编程。 PD为要亲数据
编程。
3. DQ7的是数据的补码位被编程到DQ7 （见数据轮询位
[DQ7]).
4.定时详情，请参阅下表：阅读交流特性， WE＃ -Controlled
写AC特性，以及CE ＃ -Controlled写交流特性。
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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