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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
写AC特点
图23 ： WE＃ -Controlled程序AC时序（ 16位模式）
第三轮
t
WC
第四轮
数据轮询
t
WC
读周期
A [最大： 0 ]
555h
t
AS
t
CS
t
CH
PA
t
AH
PA
t
E
CE＃
t
GHWL
t
OE
OE ＃
t
WP
t
WPH
WE＃
t
DS
t
WHWH1
t
DF
t
OH
DQ [15：0 ]
AOH
t
DH
PD
DQ7#
D
OUT
D
OUT
注意事项：
该程序指令1.只有第三和第四个周期的代表。亲
GRAM命令后面通过检查状态寄存器的数据轮询位，并通过一个
读操作时，输出的数据（D
OUT
）由以前的程序编程
命令。
2. PA指的是存储单元的地址进行编程。 PD为要亲数据
编程。
3. DQ7的是数据的补码位被编程到DQ7 （见数据轮询位
[DQ7]).
4.定时详情，请参阅下表：阅读交流特性， WE＃ -Controlled
写AC特性，以及CE ＃ -Controlled写交流特性。
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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