项
第27名单
注册
27.2寄存器位
页面
651
修订（见手册详细）
（错误）
注册
缩写
BCR
WSCR
第7位
第6位
（更正）
注册
缩写
BCR
WSCR
第7位
第6位
ICIS1
RAM的
ICIS0
RAM0
_
_
ICIS0
_
654
（错误）
注册
缩写
SEDGR
第2位
（更正）
注册
缩写
SEDGR
第2位
_
PREQF
27.3注册国
每个操作模式
655,
658,
660
（错误）
（更正）
27.4寄存器选择
条件
第28节电气
特征
664
补充说。
到675
677
（错误）
项
输入电压
（端口C至G中加入了
H8S / 2160B和H8S / 2161B ）。
输入电压（ P97 ， P86 ， P52 ，
P42)
（更正）
项
输入电压
（端口C至F加在
H8S / 2160B和H8S / 2161B ）。
输入电压（ P97 ， P86 ， P52 ，
P42)
（端口G在加
H8S / 2160B和H8S / 2161B ）。
修订版2.0 ， 08/02 ， 788 780页
