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LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
时序波形
读周期1
（地址控制） （1,2）
t
RC
地址
t
AA
DOUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
读周期2
（ CE ＃和OE ＃控制） （ 1,3,4,5 ）
t
RC
地址
t
AA
CE＃
t
ACE
OE ＃
t
OE
t
OLZ
t
CLZ
DOUT
高-Z
t
OH
t
OHZ
t
CHZ
数据有效
高-Z
注意事项：
1.我们＃为高的读周期。
2.Device不断选择OE ＃ =低， CE ＃ =低
.
3.Address必须先于或重合的有效使用CE ＃ =低
,
;否则吨
AA
是限制参数。
4.t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
5.At任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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