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LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY62256-35
分钟。
马克斯。
35
-
-
35
-
35
-
25
10
-
5
-
-
15
-
15
10
-
LY62256-55
分钟。
马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
LY62256-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
70
-
70
-
35
10
-
5
-
-
25
-
25
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY62256-35
分钟。
马克斯。
35
-
30
-
30
-
0
-
25
-
0
-
20
-
0
-
5
-
-
15
LY62256-55
分钟。
马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
LY62256-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
-
60
-
0
-
55
-
0
-
30
-
0
-
5
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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