LM3410 ， LM3410Q
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SNVS541G - 2007年10月 - 修订2013年5月
表5.工作条件
V
IN
V
OUT
I
LED
V
D
f
SW
I
Q
t
上升
t
秋天
R
DSON
L
DCR
D
I
IN
3.3V
16.7V
50mA
0.45V
1.60MHz
3mA
10nS
10nS
225m
75m
0.82
0.31A
ΣP
COND
+ P
SW
+ P
二极管
+ P
IND
+ P
Q
= P
损失
(36)
(37)
(38)
(39)
(40)
(41)
(42)
(43)
(44)
(45)
(46)
(47)
静态功耗：
P
Q
= I
Q
X V
IN
= 10毫瓦
开关损耗：
P
SWR
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
上升
)
40毫瓦
P
SWF
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
秋天
)
40毫瓦
P
SW
= P
SWR
+ P
SWF
= 80毫瓦
内部NFET功耗：
R
DSON
= 225 m
P
传导
= I
IN2
x深个R
DSON
= 17毫瓦
I
IN
= 310毫安
二极管损耗：
V
D
= 0.45V
P
二极管
= V
D
X我
LED
= 23毫瓦
电感的功率损耗：
R
DCR
= 75 m
P
IND
= I
IN2
个R
DCR
= 7毫瓦
总功率损耗为：
表6.功率损耗制表
V
IN
V
OUT
I
LED
V
D
f
SW
I
Q
t
上升
I
Q
R
DSON
L
DCR
D
η
3.3V
16.7V
50mA
0.45V
1.6MHz
10nS
10nS
3mA
225m
75m
0.82
85%
P
损失
137mW
P
SWR
P
SWF
P
Q
P
COND
P
IND
40mW
40mW
10mW
17mW
7mW
P
OUT
P
二极管
825W
23mW
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
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