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新产品
Si4804CDY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.022在V
GS
= 10 V
0.027在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
8
7
7.9
Q
g
（典型值）。
无卤
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
100 ％ UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
DC / DC
笔记本系统电源
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶部
意见
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
D
1
D
2
G
2
S
1
N沟道
MOSFET
S
2
N沟道
MOSFET
订货信息：
Si4804CDY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
8.0
7.1
7.1
B，C
5.5
B，C
30
2.4
1.8
B，C
30
10
5
3.1
2
B，C
2
1.28
B，C
- 55 150
单位
V
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
源极 - 漏极电流二极管电流
脉冲源 - 漏电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
W
°C
热电阻额定值
参数
t
≤
10 s
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
稳定状态
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为120 ° C / W 。
文档编号： 68924
S- 82485 -REV 。 A， 13 - OCT- 08
符号
R
thJA
R
thJF
典型
49
32
最大
62.5
40
单位
° C / W
www.vishay.com
1
