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新产品
Si4804CDY
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
8
I
D
- 漏电流（ A）
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
4.0
1.5
3.2
1.2
功率（W）的
功率（W）的
2.4
0.9
1.6
0.6
0.8
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 68924
S- 82485 -REV 。 A， 13 - OCT- 08
www.vishay.com
5
