ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 10
A
I
E
= 10
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
70
7.0
5.0
10
50
典型值。
最大
单位
V
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
电容（输入输出）
绝缘测试电压
电阻，输入到输出
T = 1.0秒。
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CE （ SAT ）
C
IO
V
ISO
R
IO
3000
100
0.5
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
pF
V
RMS
G
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
部分
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD211T
ILD213T
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1.0毫安
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD217T
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
40
63
100
20
100
13
22
34
100
30
45
70
120
典型值。
最大
80
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83647
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
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