ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道， SOIC- 8
包
特点
双通道耦合器
SOIC -8A表面贴装封装
.05 "标准引脚节距
仅适用于磁带和卷轴选项（ CON-
形式EIA标准481-2 ）
隔离测试电压， 3000 V
RMS
兼容双波峰焊，气相，红外
再溢流焊接
无铅组件
A1
C2
A3
C4
8C
7E
6C
5E
e3
i179018
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
指定的最低和最高CTR允许
严格的容差在相邻的电气设计
分电路。高BV
首席执行官
70 V给出更高
安全裕度相比的工业标准
30 V.
描述
该ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T是
光耦合对同一个砷化镓基础设施
红色LED和硅NPN光电晶体管。信号
信息，其中包括一个DC电平，可以传送
由该装置，同时保持elec-高度
输入和输出之间电气隔离的。该
ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T来，在
标准的SOIC -8A型小外形封装表面
安装这使得它非常适合于高丹麦
sity应用空间有限。除了elim-
inating通孔的要求，这个包
符合表面贴装器件标准。
订购信息
部分
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD211T
ILD213T
ILD217T
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
CTR > 20 ％ ， SOIC- 8
CTR > 100 ％ ， SOIC- 8
CTR > 100 ％ ， SOIC- 8
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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修订版1.4 ， 10月26日04
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1
ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
峰值脉冲电流
连续正向电流每
通道
功耗
从25° C减免线性
P
DISS
1.0
s,
300 PPS
测试条件
符号
V
R
价值
6.0
1.0
30
50
0.66
单位
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
每通道功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
P
DISS
价值
70
7.0
125
1.67
单位
V
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总包耗散
环境（ 2个LED + 2探测器，
2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
从260℃焊接时间
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
P
合计
价值
300
单位
mW
4.0
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.2
0.1
25
最大
1.55
100
单位
V
A
pF
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 10
A
I
E
= 10
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
70
7.0
5.0
10
50
典型值。
最大
单位
V
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
电容（输入输出）
绝缘测试电压
电阻，输入到输出
T = 1.0秒。
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CE （ SAT ）
C
IO
V
ISO
R
IO
3000
100
0.5
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
pF
V
RMS
G
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
部分
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD211T
ILD213T
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1.0毫安
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD217T
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
40
63
100
20
100
13
22
34
100
30
45
70
120
典型值。
最大
80
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 5.0 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 5.0 V
符号
t
on
t
关闭
民
5.0
4.0
典型值。
最大
单位
s
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.2
NCTRce - 归CTRce
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
.01
CTR归@
IF = 10毫安
V
CE=5
V
如果 - LED电流（mA ）
V
CE=0.4
V
.1
1
10
IF - LED电流 - （ mA）的
100
iild205t_01
VF - LED的正向电压（ V）
iild205t_03
图1.正向电流与正向电压
图3.归CTR
ce
与正向电流
1.2
NIC归集电极电流
1.2
NCTRce - 归CTRce
1.0
0.8
0.6
科尔目前归@我
F
= 10毫安
V
CE
=10 V
IF = 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IF = 1毫安
0.0
20
40
IF = 10毫安
CTR nonsat归@
I
F
= 10毫安
V
CE
=10 V
IF = 5毫安
0.4
0.2
IF = 1毫安
0.0
0
4
6
8
10
VCE集电极到发射极电压（ V）
2
12
如果= 5毫安
60
80
100
TA - 温度（℃ ）
iild205t_04
iild205t_02
图2.集电极 - 发射极电流与温度的关系
图4.电流传输比（归一化） - 环境
温度
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威世半导体
开关速度（微秒）
IF = 10毫安
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
10 2
封装功耗（ MW）
10 3
花花公子
200
总PKG
150
100
到n
10 1
50
每通道
10 0
.1
1
10
100
RL - 负载电阻值（kΩ ）
iild205t_01
0
25
50
75
100
125
TA - 环境温度（ ° C）
iild205t_07
图5.开关速度与负载电阻
图7.功耗与环境温度
ICEO漏电流 - （ μA ）
VCE = 50 V
VCE = 50 V
iild205t_06
TA - 温度（℃ ）
图6.集电极电流与环境温度
输入
t
on
VCC = 5 V
输入
RL
VOUT
产量
10%
50%
90%
iild205t_08
t
关闭
t
PDOFF
t
r
t
r
10%
50%
90%
t
PDON
t
d
t
s
图8.切换测试电路
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道， SOIC- 8
包
特点
双通道耦合器
SOIC -8A表面贴装封装
.05 "标准引脚节距
仅适用于磁带和卷轴选项（ CON-
形式EIA标准481-2 ）
隔离测试电压， 3000 V
RMS
兼容双波峰焊，气相，红外
再溢流焊接
无铅组件
A1
C2
A3
C4
8C
7E
6C
5E
e3
i179018
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
指定的最低和最高CTR允许
严格的容差在相邻的电气设计
分电路。高BV
首席执行官
70 V给出更高
安全裕度相比的工业标准
30 V.
描述
该ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T是
光耦合对同一个砷化镓基础设施
红色LED和硅NPN光电晶体管。信号
信息，其中包括一个DC电平，可以传送
由该装置，同时保持elec-高度
输入和输出之间电气隔离的。该
ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T来，在
标准的SOIC -8A型小外形封装表面
安装这使得它非常适合于高丹麦
sity应用空间有限。除了elim-
inating通孔的要求，这个包
符合表面贴装器件标准。
订购信息
部分
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD211T
ILD213T
ILD217T
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
CTR > 20 ％ ， SOIC- 8
CTR > 100 ％ ， SOIC- 8
CTR > 100 ％ ， SOIC- 8
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
峰值脉冲电流
连续正向电流每
通道
功耗
从25° C减免线性
P
DISS
1.0
s,
300 PPS
测试条件
符号
V
R
价值
6.0
1.0
30
50
0.66
单位
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
每通道功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
P
DISS
价值
70
7.0
125
1.67
单位
V
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总包耗散
环境（ 2个LED + 2探测器，
2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
从260℃焊接时间
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
P
合计
价值
300
单位
mW
4.0
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.2
0.1
25
最大
1.55
100
单位
V
A
pF
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 10
A
I
E
= 10
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
70
7.0
5.0
10
50
典型值。
最大
单位
V
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
电容（输入输出）
绝缘测试电压
电阻，输入到输出
T = 1.0秒。
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CE （ SAT ）
C
IO
V
ISO
R
IO
3000
100
0.5
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
pF
V
RMS
G
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
部分
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD211T
ILD213T
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 1.0毫安
ILD205T
ILD206T
ILD207T
ILD217T
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
40
63
100
20
100
13
22
34
100
30
45
70
120
典型值。
最大
80
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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威世半导体
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 5.0 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 5.0 V
符号
t
on
t
关闭
民
5.0
4.0
典型值。
最大
单位
s
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.2
NCTRce - 归CTRce
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
.01
CTR归@
IF = 10毫安
V
CE=5
V
如果 - LED电流（mA ）
V
CE=0.4
V
.1
1
10
IF - LED电流 - （ mA）的
100
iild205t_01
VF - LED的正向电压（ V）
iild205t_03
图1.正向电流与正向电压
图3.归CTR
ce
与正向电流
1.2
NIC归集电极电流
1.2
NCTRce - 归CTRce
1.0
0.8
0.6
科尔目前归@我
F
= 10毫安
V
CE
=10 V
IF = 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IF = 1毫安
0.0
20
40
IF = 10毫安
CTR nonsat归@
I
F
= 10毫安
V
CE
=10 V
IF = 5毫安
0.4
0.2
IF = 1毫安
0.0
0
4
6
8
10
VCE集电极到发射极电压（ V）
2
12
如果= 5毫安
60
80
100
TA - 温度（℃ ）
iild205t_04
iild205t_02
图2.集电极 - 发射极电流与温度的关系
图4.电流传输比（归一化） - 环境
温度
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ILD205T / 206T / 207T / 211T / 213T / 217T
威世半导体
开关速度（微秒）
IF = 10毫安
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
10 2
封装功耗（ MW）
10 3
花花公子
200
总PKG
150
100
到n
10 1
50
每通道
10 0
.1
1
10
100
RL - 负载电阻值（kΩ ）
iild205t_01
0
25
50
75
100
125
TA - 环境温度（ ° C）
iild205t_07
图5.开关速度与负载电阻
图7.功耗与环境温度
ICEO漏电流 - （ μA ）
VCE = 50 V
VCE = 50 V
iild205t_06
TA - 温度（℃ ）
图6.集电极电流与环境温度
输入
t
on
VCC = 5 V
输入
RL
VOUT
产量
10%
50%
90%
iild205t_08
t
关闭
t
PDOFF
t
r
t
r
10%
50%
90%
t
PDON
t
d
t
s
图8.切换测试电路
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