位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第182页 > NSBC114YPDXV6T1G > NSBC114YPDXV6T1G PDF资料 > NSBC114YPDXV6T1G PDF资料1第13页
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
典型电气特性
NSBC114YPDXV6T1 ， NSVBC114YPDXV6T1
PNP晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
的hFE ， DC电流增益（标准化）
T
A
= -25°C
25°C
0.1
75°C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
4
6
8 10 15 20 40 50 60 70
I
C
，集电极电流（毫安）
80 90 100
-25°C
V
CE
= 10 V
25°C
T
A
= 75°C
0.01
0.001
0
20
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
图37. V
CE （ SAT ）
与我
C
4.5
4
COB，电容（pF ）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6 8 10 15 20 25 30 35 40
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
50
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
图38.直流电流增益
T
A
= 75°C
IC ，集电极电流（毫安）
25°C
-25°C
10
V
O
= 5 V
1
0
2
4
6
V
in
，输入电压（伏）
8
10
图39.输出电容
图40.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
25°C
T
A
= -25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图41.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
13
