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NSBC114EPDXV6T1G,
NSVBC114EPDXV6T1G系列
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSBC114EPDXV6T1
系列中，两个互补的BRT装置被收容在SOT -563
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
SOT563
CASE 463A
塑料
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求
这些无铅器件*
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
XX MG
G
XX =具体设备守则
（见表2页）
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
NSBC114EPDXV6T1G
SOT563
NSBC114EPDXV6T5G
SOT563
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录7
1
出版订单号：
NSBC114EPDXV6/D
