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DDR和DDR2 SDRAM AC电气特性
下表提供了输入AC时序规格为DDR SDRAM接口
当GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表19. DDR SDRAM输入AC时序规范
在与GV推荐工作条件
DD
为2.5V ±5％。
参数
AC输入低电压
交流输入高电压
符号
V
IL
V
IH
民
—
MV
REF
+ 0.31
最大
MV
REF
– 0.31
—
单位
V
V
笔记
—
—
表20. DDR和DDR2 SDRAM输入AC时序规范模式
在与GV推荐工作条件
DD
（1.8或2.5伏） ±5％。
参数
每字节MDQS - MDQ / MECC输入偏移
333兆赫
266兆赫
200兆赫
符号
t
DISKEW
民
最大
单位
ps
笔记
1, 2
–750
–1125
–1250
750
1125
1250
注意事项：
1.交流定时值是基于在DDR数据速率，这是两次DDR存储器总线频率。
一个数据选通（ MDQS [ n]）的数据和任何相应的位之间2.最大可能的歪斜（ MDQ [ 8n个+ { 0 ... 7 }]如果0
≤n ≤7)
或ECC （ MECC [{ 0 ... 7 }]如果n = 8）。
该图中示出了用于在DDR控制器的输入时序图。
MCK [N ]
MCK [N ]
t
MCK
MDQS [N ]
MDQ [ X]
t
DISKEW
D0
D1
t
DISKEW
图6. DDR输入时序图
MPC8360E / MPC8358E的PowerQUICC II Pro处理器版本2.x的TBGA硅硬件规格修订版5
飞思卡尔半导体公司
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