产品speci fi cation
NTR4170N
功率MOSFET
30 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23
特点
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
55毫瓦@ 10 V
30 V
70毫瓦@ 4.5 V
110毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
3.2 A
2.8 A
2.0 A
低R
DS （ ON）
低栅电荷
低阈值电压
无卤化物
这是一个Pb - Free设备
简化的原理图
N沟道
D
应用
电源转换器用于便携式设备
电池管理
负载/电源开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
t
≤
30 s
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
8.0
55
to
150
0.78
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
3.2
2.3
4.0
0.78
W
A
单位
V
V
1
2
G
S
标记图/
引脚分配
3
3
漏
TREMG
G
1
1
门
2
来源
SOT23
CASE 318
21风格
TRE
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTR4170NT1G
NTR4170NT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
30 s
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
260
153
100
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
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