NTR4170N
功率MOSFET
30 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23
特点
低R
DS （ ON）
低栅电荷
低阈值电压
无卤化物
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
55毫瓦@ 10 V
30 V
70毫瓦@ 4.5 V
110毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
3.2 A
2.8 A
2.0 A
应用
电源转换器用于便携式设备
电池管理
负载/电源开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
t
≤
30 s
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
8.0
55
to
150
0.78
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
3.2
2.3
4.0
0.78
W
A
单位
V
V
简化的原理图
N沟道
D
G
S
标记图/
引脚分配
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
1
1
门
2
来源
3
漏
TREMG
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
TRE
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
30 s
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
260
153
100
单位
° C / W
订购信息
设备
NTR4170NT1G
NTR4170NT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年6月，
第0版
1
出版订单号：
NTR4170N/D
NTR4170N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.0 A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A，T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 3.2 A，R
G
= 6.2
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.2 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
432
53.6
37.1
4.76
0.3
1.0
1.4
3.8
W
ns
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
1.0
3.3
45
50
64
8.0
55
70
110
S
1.4
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
30
26.4
1.0
5.0
$100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
6.4
9.9
15.1
3.5
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.75
8.0
5.1
2.9
2.9
nC
1.0
V
ns
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTR4170N
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NTR4170N/D
产品speci fi cation
NTR4170N
功率MOSFET
30 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23
特点
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
55毫瓦@ 10 V
30 V
70毫瓦@ 4.5 V
110毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
3.2 A
2.8 A
2.0 A
低R
DS （ ON）
低栅电荷
低阈值电压
无卤化物
这是一个Pb - Free设备
简化的原理图
N沟道
D
应用
电源转换器用于便携式设备
电池管理
负载/电源开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
t
≤
30 s
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
8.0
55
to
150
0.78
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
3.2
2.3
4.0
0.78
W
A
单位
V
V
1
2
G
S
标记图/
引脚分配
3
3
漏
TREMG
G
1
1
门
2
来源
SOT23
CASE 318
21风格
TRE
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTR4170NT1G
NTR4170NT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
30 s
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
260
153
100
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
TY特性
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.0 A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A，T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 3.2 A，R
G
= 6.2
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.2 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
30
符号
测试条件
民
NTR4170N
典型值
最大
单位
V
26.4
1.0
5.0
$100
毫伏/°C的
mA
nA
1.0
3.3
45
50
64
8.0
1.4
V
毫伏/°C的
55
70
110
mW
S
432
53.6
37.1
4.76
0.3
1.0
1.4
3.8
pF
nC
W
ns
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
6.4
9.9
15.1
3.5
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.75
8.0
5.1
2.9
2.9
nC
1.0
V
ns
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
QQ：2881677436 复制
