MCP601/1R/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT23
热阻， 6L- SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度部件
扩展部分的温度
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
工业级温度器件可工作在扩展的范围，但性能有所下降。该
扩展级温度规范并不适用于工业级温度的部件。在任何情况下，内部结
温度（T
J
）不得超过150 ℃，绝对最高规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.5节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP60X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP60X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21314G第4页
2007 Microchip的技术公司
