MCP601/1R/2/3/4
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2，和R
L
= 100 kΩ到V
L
, C
L
= 50 pF的，而CS接低电平。 （参考
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
频率响应
增益带宽积
相位裕度
阶跃响应
压摆率
建立时间（ 0.01 ％ ）
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
e
ni
i
ni
—
—
—
—
7
29
21
0.6
—
—
—
—
V
P-P
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F = 1千赫
内华达州/ √Hz的F = 10千赫
FA / √Hz的F = 1千赫
SR
t
SETTLE
—
—
2.3
4.5
—
—
V / μs的
s
G = + 1V / V
G = + 1V / V ， 3.8V步
增益带宽积
PM
—
—
2.8
50
—
—
兆赫
°
G = + 1V / V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
MCP603芯片选择（ CS ）特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2，和R
L
= 100 kΩ到V
L
, C
L
= 50 pF的，而CS接低电平。 （参考
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
SHUTDOWN V
SS
当前
放大器输出泄漏关断
定时
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻时间
迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
3.1
100
0.4
10
—
—
s
ns
V
CS
≤
0.2V
DD
，G = + 1V / V
CS
≥
0.8V
DD
，G = + 1V / V ，无负载。
V
DD
= 5.0V
V
IH
I
CSH
I
Q_SHDN
I
O_SHDN
0.8 V
DD
—
-2.0
—
—
0.7
-0.7
1
V
DD
2.0
—
—
V
A
A
nA
CS = V
DD
CS = V
DD
V
IL
I
CSL
V
SS
-1.0
—
—
0.2 V
DD
—
V
A
CS = 0.2V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
CS
t
ON
V
OUT
I
DD
高阻
2 nA的
（典型值）
t
关闭
输出活动
高阻
230 A
（典型值）
-230 A
（典型值）
2 nA的
（典型值）
I
SS
-700 nA的
（典型值）
700 nA的
（典型值）
CS
当前
图1-1：
时序图。
MCP603片选（ CS ）
2007 Microchip的技术公司
DS21314G第3页
