PD - 96332A
的DirectFET ？双P沟道功率MOSFET
典型值（除非另有规定）
IRF9395MPbF
IRF9395MTRPbF
R
DS （ ON）
Q
gs2
3.2nC
V
DSS
应用
l
隔离开关的输入电源或电池供电应用
V
GS
Q
gd
15nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
23nC
-30V最大± 20V最大5.3mΩ@-10V9.0mΩ@-4.5V
Q
克TOT
32nC
Q
rr
62nC
V
GS （ TH）
-1.8V
特点和优点
l
Environmentaly型产品
l
符合RoHS标准不含铅，
Q1-Q2
G
G
无溴，无卤素
l
双共漏极P沟道MOSFET提供
高集成度和非常低的RDS （ ON）
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
D
S
S
S
S
D
MC
MP
MC
的DirectFET ？等距
描述
该IRF9395MTRPbF结合了最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
为实现最低的导通电阻中，有一个SO-8和仅0.6毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
订购型号
IRF9395MTRPbF
IRF9395MTR1PbF
套餐类型
的DirectFET介质
的DirectFET介质
参数
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4800
磁带和卷轴
1000
马克斯。
记
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
24
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
g
e
e
f
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
-30
±20
-14
-11
-75
-110
A
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
20
40
60
80
QG总栅极电荷（ NC）
ID = -11A
VDS = -24V
VDS = -15V
VDS = -6V
20
16
12
8
4
0
2
4
6
8
10
12
14
T J = 125°C
ID = -14A
T J = 25°C
16
18
20
-VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
www.irf.com
1
12/2/10
