位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1011页 > Si5326A-C-GM > Si5326A-C-GM PDF资料 > Si5326A-C-GM PDF资料1第70页
Si5326
D
OCUMENT
C
焊割
L
IST
版本0.1到0.2版本
更新LVTTL到LVCMOS为表2 ， “绝对
第6页最大额定值“ 。
补充页上的图3 ， “典型相位噪声图”
16.
更新图4 ， “ Si5326典型应用
电路（I
2
C控制模式） ， “和图5中， ” Si5326
在典型应用电路（ SPI控制模式） ， “
第17页显示首选外部参考
界面。
更新了“ 5.Register地图” 。
额外
版本0.41到0.42版本
文本添加到第"5.注册Map" 20页。
版本0.42到0.43版本
取代图9 。
更新的上升/下降时间值。
版本0.43到0.44版本
变更后注册地址标签为十进制。
更新后的第一页的格式来添加图像芯片和PIN
OUT
更新的功能框图
更新了部分“ 1.Electrical规格”来
包括来自Si53xx系列AC / DC规格
参考手册（ FRM ）
在更新了部分典型相位噪声性能
“ 2.Typical相位噪声性能”
新增INC / DEC的引脚图4和图5中
明确了FLAT格式为[ 14 ： 0 ]
加入弱列表上拉/下拉电阻表10 ，
“ Si5326上拉/下拉， ”第64页
更新寄存器映射图19 ， 20 ， 46 ， 47 ， 55 ， 142 ， 143 ，
185
补充说明中科典型应用电路
“ 3.典型应用电路”
增加了评估板部件号为“ 8.Ordering
引导“
更新了部分“ 11.Si5326设备顶部标记”
更新表5 ， “抖动生成， ”第14页;
填写所有TBDS ，并降低了典型的RMS值
版本0.44到1.0版本
RATE0和城市化率为RATE1和
膨胀速率[1：0 ]的描述。
寄存器名称已更改字体
斜体加下划线。
更新"8.订购Guide" 65页。
加入"9.封装外形： 36引脚QFN"页
66.
加入“ 10.Recommended PCB布局” 。
版本0.2到0.3版本
改变1.8 V的工作范围为± 5％。
更新了表1第4页。
更新了表2第6页。
更新了表11 66页。
添加表图3在第16页上。
更新"4.功能Description"第18页上。
澄清"5.注册Map"第20页，包括上拉的
上/下拉。
版本0.3到0.4版本
更新了表1第4页。
加入"11. Si5326器件顶部Mark" 69页。
版本0.4到0.41版本
改变了“潜伏”，以“歪斜”贯穿始终。
更新了表1第4页。
更新
热阻结到环境
典型的规范。
更新了图4第17页。
更新了图5 ， “ Si5326典型应用
电路（ SPI控制模式） “，第17页。
更新"5.注册Map" 20页。
更新"9.封装外形： 36引脚QFN"页
66.
补充图9 ， “地垫推荐
第67页上的布局。“
新增注册地图
70
1.0版
