MM3ZxxxST1G系列， SZMM3ZxxxST1G系列
典型特征
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
3.0
V
Z
，额定齐纳电压
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
IR ，漏电流（
μ
A)
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
0 V BIAS
1 V BIAS
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
+150°C
0.001
+ 25°C
55°C
0
5.0
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
10
0.0001
1.0
4.0
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
10
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
100
80
功耗（ ％ ）
0
2.0
4.0
6.0
V
Z
齐纳电压（V）
8.0
10
60
40
20
0
10
1.0
0.1
0.01
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
截至9 V ）
图6.稳态功率降额
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