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ICS85320I
LVCMOS / LVTTL到差分3.3V ， 2.5V LVPECL译者
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
贮藏温度，T
英镑
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
I
EE
参数
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
25
单位
V
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK
CLK
CLK
CLK
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
CC
+ 0.3
1. 3
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK
CLK
CL
CLK
V
CC
= V
IN
= 2.625V
V
CC
= V
IN
= 2.625V
-150
测试条件
最低
1.6
-0.3
典型
最大
V
CC
+ 0.3
0.9
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
3D 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CC
- 1.4
V
CC
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CC
- 0.9
V
CC
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
CC
- 2V.
IDT
/ ICS
3.3V ， 2.5V LVPECL译者
3
ICS8532AMI REV A二○○六年十一月一十三日
