UCC27511
UCC27512
SLUSAW9D - 2012年2月 - 修订2013年5月
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VDD和欠压锁定
该UCC2751X器件具有内部欠压锁定（ UVLO）保护的VDD引脚供电功能
电路模块。每当驾驶员处于UVLO条件（例如当V
DD
电压小于V
ON
中
上电时V
DD
电压小于V
关闭
断电）时，该电路包含所有输出低电平，
不管输入的状态。在UVLO通常是4.2 V 300 mV的典型滞后。这种滞后
防止颤振时低V
DD
电源电压有来自电源的噪声，也当有
下垂的VDD的偏置电压，当系统开始切换，并有在我的突然增加
DD
.
的能力，在低电压电平如低于5伏操作，连同最佳的级交换
特性，特别适合用于驱动新兴的GaN宽带隙功率半导体装置。
例如，在加电时，所述UCC2751x驱动器的输出保持低电平直到在V
DD
电压达到UVLO
门槛。在输出信号的幅度与V上升
DD
直到稳态V
DD
被达到。在非反相
（施加到IN +引脚PWM信号）中示出的操作
图21中的
输出保持低电平，直到UVLO阈值
是到达，然后输出是同相输入端。在反相操作（PWM信号施加到IN-
销）所示
图22
输出保持低电平，直到UVLO门限达到，然后输出输出
相位与输入。在这两种情况下，未使用的输入引脚必须正确地偏压以使能输出。注意
在这些设备的输出变为高电平状态只有当IN +引脚为高电平和IN引脚为低电平时， UVLO阈值后，
被达到。
由于驱动电流从VDD引脚偏置内部电路全部，最佳高速电路
性能，双VDD旁路电容建议，以防止噪音问题。使用surface-的
安装组件，强烈推荐。一个0.1 μF陶瓷电容应尽量靠近，以
在VDD和GND之间的栅极驱动器的引脚。此外，较大的电容器（如1-
μF)
具有相对低的ESR
应当并联连接并靠近，以便帮助实现所要求的高电流峰值
的负载。电容的并联组合应呈现低阻抗特性的预期
电流电平，并在应用中的开关频率。
VDD
VDD阈值
VDD阈值
IN -
IN +
IN +
IN-
OUT
OUT
图21.上电（非反相驱动器）
图22.电（反相驱动器）
工作电源电流
该UCC27511与UCC27512具有非常低的静态我
DD
电流。在典型的工作电源的电流
欠压锁定（ UVLO）状态，并且完全开启状态（在静态和交换条件）中总结
图5 ，图6中
和
图7 。
在我
DD
电流时，该设备是在完全开启和输出是在静止状态（直流
高或低的DC ，请参阅
图7）
代表了最低的静态我
DD
当前，当所有的内部逻辑电路
装置全面投产。总电源电流为静态我的总和
DD
目前，一般的我
OUT
由于开关电流，并最终任何电流上拉电阻上未使用的输入引脚有关。例如，
当反相输入引脚被拉低额外电流从VDD电源通过上拉得出
电阻（参照
设备信息
该设备结构图） 。知的操作频率（f
SW
)
与MOSFET的栅极（Q
G
正在使用）的电荷在所述驱动电压，平均我
OUT
电流可以计算
作为Q的产品
G
和f
SW
.
在IDD电流的完整描述为开关频率在不同VDD偏置功能
下1.8 nF的切换负载的电压被提供在
图15 。
醒目的线性变化密切相关
与我平均理论值
OUT
表示可以忽略不计直通的栅极驱动器，证明里面
其高速的特性。
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