位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第442页 > SST39SF010A-55-4C-NHE > SST39SF010A-55-4C-NHE PDF资料 > SST39SF010A-55-4C-NHE PDF资料2第13页
1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
AC特性
表11：
读周期时序参数V
DD
= 4.5-5.5V
SST39SF010A/020A/040-55
符号参数
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ
1
SST39SF010A/020A/040-70
民
70
最大
70
70
35
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
0
ns
ns
ns
T11.4 25022
民
55
最大
55
55
35
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
20
20
0
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
1.此参数的测量只为最初的资格和设计或工艺变更后，可能影响本
参数。
表12：
编程/擦除周期时序参数
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH
T
CPH
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
1
1
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
最大
20
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
25
100
ns
ms
ms
T12.1 25022
1.此参数的测量只为最初的资格和设计或工艺变更后，可能影响本
参数。
2013硅存储技术公司
DS25022B
04/13
13
