PIC16C717/770/771
2.2.2.1
状态寄存器
STATUS寄存器，寄存器2-1所示，包括
ALU的算术运算状态，复位状态和
银行选择位数据存储器。
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令，与任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z， DC或C位，那么写这三位是
禁用。这些位是根据设置或清除
器件的逻辑。此外，TO和PD位是不可
可写。同的指令，因此，其结果
状态寄存器作为目标可能会比不同
意。
例如，
CLRF STATUS
将清除上三
位，并将Z位。这将使状态寄存器
as
000u u1uu
（其中
u
=不变） 。
建议的，因此，只
BCF ， BSF ，
SWAPF
和
MOVWF
指令来改变
状态寄存器，因为这些指令不
从影响状态寄存器中的Z， C或DC位。为
不影响任何状态位的指令，请参阅
"Instruction集Summary."
注意：
C和DC位的借位
和半借位，分别在子
牵引。请参见SUBLW和SUBWF
说明例子。
寄存器2-1：
状态寄存器（ STATUS ： 03H ， 83H ， 103H ， 183h ）
R/W-0
IRP
第7位
R/W-0
RP1
R/W-0
RP0
R-1
TO
R-1
PD
R / W -X
Z
R / W -X
DC
R / W -X
C
位0
第7位
IRP ：
寄存器组选择位（用于间接寻址）
1
银行= 2 ， 3 （ 100H - 1FFh的）
0
银行= 0 ， 1 （ 00H - FFH ）
RP<1 ： 0> ：
寄存器组选择位（用于直接寻址）
11
银行= 3 （ 180H - 1FFh的）
10
银行= 2 （ 100H - 17Fh ）
01
银行= 1 （ 80H - FFH ）
00
=银行0 （ 00H - 7Fh的）
每家银行的128个字节
要：
超时位
1
=上电后，
CLRWDT
指令，或
睡觉
指令
0
=发生了WDT超时
PD ：
掉电位
1
=在上电或由
CLRWDT
指令
0
=执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1
=算术或逻辑运算的结果为零
0
=算术或逻辑运算的结果不为零
DC ：
半进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
指令） （用于借极性
反转）
1
=运算出结果的第4低位发生
0
=未发生进从结果的第4低位
C:
进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
1
=运算出结果的最高位发生
0
=未发生进结果的最高位发生
注意：
对于借位，极性是相反的。减法是通过增加两个的执行
补充第二个操作数。对于移位（ RRF ，
RLF ）
指令，此位是
装有高或低序源寄存器的位。
位6-5
4位
第3位
第2位
第1位
位0
图例：
R =可读位
- n =上电复位值
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位，读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
DS41120C第14页
1999年至2013年Microchip的科技公司
