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32MB， 3V ，多个I / O串行闪存
写操作
图25 ：写使能和写禁止命令序列
EXTENDED
C
S#
命令位
DQ[0]
最高位
DQ1
高-Z
0
0
0
0
0
1
1
0
最低位
0
1
2
3
4
5
6
7
双
0
C
S#
命令位
DQ[0]
DQ[1]
最高位
0
0
0
0
1
0
0
1
最低位
1
2
3
四
C
S#
0
1
命令位LSB
DQ[0]
DQ[1]
DQ[2]
DQ[3]
最高位
0
0
0
0
0
1
1
0
不在乎
注意：
1，这里显示的是写使能命令代码，这是06H或0000 0110的二进制。该
写禁止命令序列是一样的，除了写禁止命令
代码为04H或0000 0100的二进制。
PDF ： 09005aef84566622
n25q_32mb_3v_65nm.pdf - 启示录摹9/12 EN
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