位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第20页 > N25Q032A13EF440E > N25Q032A13EF440E PDF资料 > N25Q032A13EF440E PDF资料1第48页
32MB， 3V ，多个I / O串行闪存
写操作
写操作
写使能命令
写使能操作设置写使能锁存位。要执行一个写ENA-
BLE命令，S ＃驱动为低电平，并保持低电平，直到命令的第八位
代码已被锁存后，它必须被驱动为高电平。命令码是
输入DQ0上的扩展SPI协议，在DQ [ 1 ： 0 ]双SPI协议，并在
DQ [ 3 ： 0]四SPI协议。
写使能锁存位必须每个程序之前设置，擦除和写入的COM
命令。若S ＃没有被驱动高电平后的指令代码已经被锁存在，所述的COM
命令不被执行，标志状态寄存器中的错误位不被置位，并且将写使能
锁存遗体清0的默认设置。
写禁止命令
写禁止操作清除写使能锁存位。要执行WRITE
disable命令，S ＃驱动为低电平，并保持低电平直到的COM的第八位
命令代码已被锁存后，它必须被驱动为高电平。命令
代码输入DQ0上的扩展SPI协议，在DQ [ 1 ： 0 ]双SPI协议，
在DQ [ 3 ： 0]四SPI协议。
若S ＃没有被驱动高电平后的指令代码已经被锁存在时，该命令是
未执行时，标志的状态寄存器错误位不被置位，并且将写使能锁存器重新
主电源置为1 。
PDF ： 09005aef84566622
n25q_32mb_3v_65nm.pdf - 启示录摹9/12 EN
48
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2011美光科技公司保留所有权利。
