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MCP19035
用于低侧的过电流保护功能，当
跨过低侧MOSFET感测的电压降
大于所述低侧的过电流阈值电压
指定一个低侧的过电流计数器是
增加一次计数。在下一个周期中，如果低
侧过电流阈值电压没有超过，则
低侧的过电流计数器减一。如果
低侧的过电流计数器达到7:3的计数
存在故障状态和MCP19035关闭
两个外部MOSFET 。经过60 ms的延时，
MCP19035设备将尝试重新启动。如果在
在下一个周期中，低侧的过电流阈值电压为
跨过低侧MOSFET测量，故障是
再次声明，这两个外部MOSFET导通
关闭另外60毫秒。然而，如果企图后
重新启动一个低侧的过电流阈值电压不
跨过低侧MOSFET测量时，所述低侧
过流计数器减一，并在
MCP19035继续工作，直到低端
过流计数器达到7计数。
高侧过电流电压阈值
保护电路是固定的， 480 mV的典型。高侧
电压阈值还取决于的值
电压自举电路电容器的两端，并且将
减少当此电压降低。这将确保
该高侧保护将避免的故障
的MOSFET时，自举电压为低，并且
开关损耗也高。此阈值将为一
逐周期保护在短路的情况下，但它
不应该被用来为提供精确的电流限制
该转换器。在流过的电流的估计
短路时的高侧MOSFET可以是
使用发现
公式4-2 。
需要注意的是，由于主导
前沿消隐时间，这个电流还取决于
电感的纹波电流。避免了误触发
高压侧过流保护电路中
瞬间，强烈建议选择一个
的MOSFET ，这将提供一个阈值的至少四个
比的最大输出电流高次
转换器。
公式4-2 ：
峰值电流
高边MOSFET
V
OC HS
I
HS MOS
= -----------------
R
DSON
其中：
I
HS MOS
=电流穿过
高边MOSFET
V
OC HS
=阈值电压高边
过电流保护电路
（ 480毫伏）
R
DSON
=高侧的导通电阻
MOSFET
用于低侧的过电流的电压阈值
保护电路是固定的， 180 mV的典型。不同
这个阈值（ 100 mV至300毫伏）值
可根据要求提供。的电流的估计
短路时流过的低边MOSFET的
使用实现
公式4-3 。
需要注意的是，由于
前沿消隐时间，这个电流还取决于
电感上的纹波电流。为了避免误触发
低侧过流保护电路中的
瞬间，强烈建议选择一个
的MOSFET ，这将提供一个阈值的至少两倍
比的最大输出电流较高
转换器。
公式4-3 ：
I
LS MOS
其中：
V
OC LS
= ----------------
-
R
DSON
I
LS MOS
=电流穿过
低边MOSFET
V
OC LS
=阈值电压低边
过电流保护电路
（ 180毫伏）
R
DSON
=低压侧的导通电阻
MOSFET
为了避免过电流的电路，一个错误触发
前沿消隐电路是都存在的
高侧和低侧的测量。由于这种消隐
时，过电流电路的精度可以是
如果该转换器工作在更高的占空比的影响
（超过85％） ，或如果所述电感器的电流纹波
非常高（即电感器是由过量的饱和
电流）。
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2012 Microchip的技术公司
