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MCP19035
4.8
内部稳压器（ LDO ）
4.9
内部MOSFET驱动器
该MCP19035控制器提供了一个内部5V低
差稳压器。该稳压器提供
偏置电压为所有内部电路。陶瓷电容器
(4.7
μF
最小）必须连接之间的
该LDO的输出（V
CC
针）和地（ GND端子），用于
稳定运行。
外部噪音低负荷可以从该供电
调节器，但是从LDO消耗的总电流
输出（ MCP19035 +外部负载的内部电路）
不得超过50毫安。的内部电路
MCP19035消耗约5毫安。总
当前可用的量来驱动外部负载
可从估计的
公式4-1 ：
内部MOSFET驱动器能够驱动
外， “逻辑电平” （ + 5V ）的MOSFET 。
低侧驱动器（ LDRV ）被引用到GND
引脚和可输出1A和1.5A下沉的。
高侧驱动器（ HDRV ）是浮动的能力
采购和下沉1A 。该驱动程序是从供电
外部自举电容。
在司机的非重叠时序是
由自适应延迟电路，以减少身体管辖
二极管导通，在同步整流器。
对于优化死区时间版本
MCP19035 ，自适应延时电路被禁止，
在死区时间都有一个固定的值。
公式4-1 ：
I
外部负载
= 50 mA数 - F
SW
X （Q
G（高压侧）
+ Q
G（低端）
） - 5毫安
4.10
过电流保护
其中：
I
外部负载
=目前可用于供电
外部负载
f
SW
=开关频率（ 300千赫）
Q
G（高压侧）
=高侧的总栅极电荷
MOSFET在4.5V V
GS
Q
G（低端）
=低端的总栅极电荷
MOSFET在4.5V V
GS
该LDO消耗的MCP19035内动力。对
避免绊倒的过热保护电路，
设计者必须确保最大死亡
温度低于+ 125 ℃下在最坏的情况下
条件（即高输入电压）。欲了解更多
有关最大耗散功率信息
使用LDO ，请参阅Microchip公司的AN761和AN792
应用笔记。
该LDO进行保护，防止过载和短路
条件。内部的一贯表现
MOS驱动程序确保了监测LDO输出
电压;如果该电压低于3.3V的典型的
芯片将在停机方式下，以防止损坏输入
到外部的MOSFET。
过流保护是通过监控来完成
横跨外部MOSFET的电压时，他们
为ON （导通） 。
用于高侧的过电流保护功能，当
穿过高侧MOSFET所感测的电压降是
大于所述高侧的过电流阈值
电压，高边MOSFET立即转身
断和高侧的过电流计数器是
递增一。在下一个周期中，如果高侧
过电流阈值电压没有超过，则
高侧电流过电流计数器值减一
算。如果高侧电流过电流计数器达到一
7计数，故障状态存在，并且MCP19035
关闭两个外部MOSFET 。
后一个60毫秒的延迟，则MCP19035将尝试
重新开始。如果在下一个周期内，一个高侧电流过电流
阈值电压加在高压侧测
MOSFET ，故障再次声明，并对外
的MOSFET被关断而另一个60毫秒。但是，如果
所尝试重新启动一个高侧电流过电流后
阈值电压不跨越高侧测量
管导通，高侧电流过电流计数器是
减一，并在MCP19035继续
工作，直到高端过流计数器达到
7计数。
低侧的过电流保护得多的行为
方式相同的高侧电流过电流保护功能。该
不同的是，低侧MOSFET是不
立即关断时的低侧的过电流
阈值电压被测量。它仍保持在直到
下一个循环开始。
2012 Microchip的技术公司
DS22326A第15页
