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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
阅读和AUTO SELECT操作
自动选择模式是通过执行复位退出。该设备返回到读取模式非
少它进入自动选择模式的擦除后暂停或程序挂起
命令，在这种情况下它返回到擦除或编程挂起模式。
表12 ：阅读电子签名
注1适用于整个表
地址输入
8-Bit/16-Bit
读周期
制造商代码
设备代码1
设备
代码2
256Mb
512Mb
1Gb
2Gb
设备代码3
CE＃
L
L
L
L
L
L
L
注意：
OE ＃
L
L
L
L
L
L
L
WE＃
H
H
H
H
H
H
H
A [ MAX ： 4 ] A3
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
A2
L
L
H
H
H
H
H
A1
L
L
H
H
H
H
H
只有8位
数据输入/输出
只有8位
只有16位
DQ[15]/A-1,
A 0的DQ [15] / A- 1的DQ [14： 8]的DQ [7：0 ]的DQ [14 ：0]
L
H
L
L
L
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
89h
7Eh
22h
23h
28h
48h
01h
0089h
227Eh
2222h
2223h
2228h
2248h
2201h
1.高H =逻辑电平（V
IH
） ; L =逻辑低电平（V
IL
） ; X =高或低。
表13块保护
注1适用于整个表
地址输入
8-Bit/16-Bit
读周期
扩展M29EWL
内存
块
M29EWH
保护
指标
(DQ7)
块保护
状态
CE ＃ OE ＃ WE＃ A [ MAX ： 16 ] A [ 15 ： 2 ] A1
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
只有8位
数据输入/输出
只有8位
只有16位
DQ[15]/A-1,
A 0的DQ [15] / A- 1的DQ [14： 8]的DQ [7：0 ]
DQ [14 ：0]
H
H
X
X
X
X
89h
2
09h
3
99h
2
19h
3
0089h
2
0009h
3
0099h
2
0019h
3
0001h
4
0000h
5
L
L
H
座基地
地址
L
H
L
X
X
01h
4
00h
5
注意事项：
1.
2.
3.
4.
高H =逻辑电平（V
IH
） ; L =逻辑低电平（V
IL
） ; X =高或低。
微米预先锁定（永久） 。
客户可锁定。
保护： 01H （以x8模式）是输出DQ [7 ： 0 ] ;表示该扩展存储器
块由美光永久预先锁定。
5.无保护： 00H （以x8模式）是输出DQ [7 ： 0 ] ;表示该扩展memo-
Ry的块可以被锁定由顾客。
PDF ： 09005aef849b4b09
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