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256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
注册
表10块保护状态（续）
非易失性
块
非易失性
挥发物
保护位
保护
1
2
保护位
3
LOCK位
保护位
状态
0
0
0
01h
块保护状态
块由非易失性保护位和vola-保护
瓷砖保护位;非易失性保护位unchange-
能。
注意事项：
1.非易失性保护位锁定位：当清1 ，所有的非易失性保护位
解锁;当设置为0时，所有非易失性保护位被锁定。
2.块的非易失性保护位：当清1 ，块是不受保护的;设置时，
为0时，该块被保护。
3.阻止挥发保护位：当清1 ，块是不受保护的;当设置为0时，
该块被保护。
图8 ：锁定寄存器程序流程图
开始
ENTER锁定寄存器命令集
地址数据（解锁）周期1
地址数据（解锁）周期2
地址数据周期3
程序锁定注册
地址数据周期1
地址数据周期2
轮询算法
是的
做了什么？
No
No
DQ5 = 1
是的
成功：
EXIT保护命令集
（返回到设备读取模式）
地址数据周期1
地址数据周期2
失败：
读/复位
（返回的设备来读取模式）
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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