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8兆位闪存LPC
SST49LF080A
数据表
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
1日启动
内存
写
周期
011Xb
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
SYNC
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
三州0000B
1时钟
1时钟1时钟
在2个2个时钟将数据加载"AAH"
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
写在第一命令到设备中的LPC模式。
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
第二个启动
内存
写
周期
011Xb
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0010b
1010b
1010b
1010b
数据
0101b
0101b
TAR
1111B三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 2AAAH"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"55H"
写的第二命令到设备中的LPC模式。
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
3日开始
内存
写
周期
011Xb
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
0000b
1000b
TAR
1111B三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"80H"
写的第三命令到设备中的LPC模式。
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
4日开始
内存
写
周期
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
1111b
TAR
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000B 011Xb
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"AAH"
写的第四命令，该设备中的LPC模式。
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
5th
内存
写
周期
011Xb
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0010b
1010b
1010b
1010b
数据
0101b
0101b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 2AAAH"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"55H"
写的第五命令到设备中的LPC模式。
CE＃
LCLK
国内
擦除开始
LFRAME ＃
6日开始
内存
写
周期
011Xb
Address1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
BAX
在8个时钟负载块地址
XXXXb XXXXb
XXXXb
数据
0000b
0101b
TAR
1111b
SYNC
TAR
LAD [ 3：0]
国内
擦除开始
0000b
三州0000B
1时钟
1时钟1时钟
在2个加载数据“ 50 ”
2个时钟
写的第六命令（目标扇区被擦除）到装置中的LPC模式。
BAX =块地址
1235 F10.0
注意：
1.地址必须在表4中指定的内存地址范围。
图10 ： B
LOCK
-E
RASE
C
OMMAND
S
EQUENCE
（ LPC M
ODE
)
2003硅存储技术公司
S71235-00-000
4/03
25
