8兆位闪存LPC
SST49LF080A
数据表
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
1日启动
0000b
内存
写
周期
011Xb
A[31:28] A[27:24]
A[23:20]
Address1
A[19:16]
A[15:12]
A[11:8]
A[7:4]
A[3:0]
数据
D[3:0]
D[7:4]
TAR
1111B三州
2个时钟
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
0000b
1时钟
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
在8个时钟负载地址
在2个加载数据
写在最后的命令（编程或擦除）到设备的LPC模式。
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
内存
读
周期
010Xb
A[31:28] A[27:24] A[23:20]
接下来开始
Address1
A[19:16]
A[15:12]
A[11:8]
A[7:4]
A[3:0]
1111b
TAR
SYNC
数据
XXXXb
X,D6#,XXb
TAR
0000b
1时钟
LAD [ 3：0]
开始
0000b
三州0000B
1时钟
1时钟1时钟
在8个时钟负载地址
阅读DQ6 ，看看内部写完成与否。
2个时钟
数据输出2个时钟
CE＃
LCLK
LFRAME ＃
内存
读
周期
010Xb
A[31:28] A[27:24] A[23:20]
接下来开始
Address1
A[19:16]
A[15:12]
A[11:8]
A[7:4]
A[3:0]
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
数据
XXXXb X， D 6， XXB
TAR
0000b
1时钟
1235 F08.0
LAD [ 3：0]
开始
0000b
1时钟1时钟
在8个时钟负载地址
当内部写操作完成时，DQ6将停止切换。
2个时钟
1时钟数据输出2个时钟
注意：
1.地址必须在表4中指定的内存地址范围。
图8 ：T已
OGGLE
B
IT
C
OMMAND
S
EQUENCE
（ LPC M
ODE
)
2003硅存储技术公司
S71235-00-000
4/03
23
