LTC4417
应用信息
掌握并连接它的最高优先级的有效渠道
共用输出。如果7或以上，输入耗材
优先级，另外LTC4417s可以通过连接 - 添加
荷兰国际集团的所有个体V
OUT
引脚连接在一起，并连接各
LTC4417的CAS到下一个低优先级的LTC4417的EN 。
设计实例
一个由一个12V的2A多个输入电源系统
供应与20MΩ的源电阻， 7.4V主
锂离子电池，以及一个备用7.4V的锂离子电池
设计了由12V电源供电优先采购，
如图13所示。电源从主源
当电池的12V电源是不存在的备份
电池只是用来当主电池和12V电源
不可用。该系统的环境条件
将介于25 ℃和85 ℃。
该设计限制了输出电压跌落到为800mV
中切换。负载电容器被认为具有
50mΩ以下的最小的ESR在85℃和80mΩ在25℃下
通过并联的低ESR额定铝电解
电容器。输入源被允许下降1V 。
选择外部P沟道MOSFET
设计开始选择额定合适2A
P沟道MOSFET与所需的R
DS （ ON）
。回顾数
MOSFET的选择，低18MΩ
DS （ ON）
双P通道
IRF7324具有-20V BV
DSS
被选择用于这种应用。
低18MΩ
DS （ ON）
结果在72mV结合降
在25℃和一个85mV降在85℃ 。每个P沟道MOSFET
消散72MW在25℃和85mW的在85℃ 。
浪涌电流限制
当连接一个更高的电压源到一个较低的电压
输出，显著浪涌电流就可能发生。大小
浪涌电流可以计算出等式（19）。
I
侵入
=
V1– V
OUT （ INIT ）
R
SRC
+ ESR （C
L
)+ 2 R
DS （ ON）
源，R
SRC
为V1 ， ESR （C的源电阻
L
）是
ESR的负载电容，并且R
DS （ ON）
是导通电阻
的外部背到背的MOSFET 。
给定一总串联电阻从输入到输出，该
当V1运行后会发生最坏的情况下浪涌电流
20 ％的高位，为14.4V ，和V
OUT
在其欠压极限
的5.6V 。在这种条件下，最大浪涌电流
83A的发生，如公式（20）。
I
侵入
=
14.4V – 5.6V
=
83A
20mΩ
+
50mΩ
+
36mΩ
(20)
因为浪涌电流的83A超过71A AB-
溶质的最大漏电流脉冲的评价，我
DM
，的
IRF7324 ，浪涌电流限制是必需的。
计算负载电容，C
L
和浪涌电流
限流电路元件，R
S
是一个反复的过程。
要开始使用公式（ 14 ） ，以0.79 R
S
C
S
初步确定
到10微秒。来限制输出电压下降到所希望的
为800mV ， 200mV的储备为初始下垂由于负载
中流动的电流的输出电容器的ESR 。接下来，
选C
L
设置最大V
OUT
下垂至600mV的，因为
在方程（21）所示。
2A （ 3μs的
+
12s
+
10s)
600mV
C
L
=
83.3F
C
L
=
(21)
(19)
其中，V
OUT （ INIT ）
是V
OUT
当电压开始供电
从电源电压小于V 1， V 1是在较高的电压
保证金，选择开始的C
L
值等于100μF和
使用等式（ 16 ）来确定
S
。在允许1V
输入电压降和源电阻，R
SRC
， 20MΩ的，
700mV的输入电压跌落时，设置突
电流35A的。公式中的其它术语来
从外部P沟道MOSFET制造商的数据
表。的传递特性曲线示出了栅
电压，V
GS
，驱动35A时约为1.8V
浪涌电流和电容经文漏极至源
电压曲线示出了最大C
RSS
大约
600pF 。
S
被设定为大于10 C时代
RSS
或
6.8nF 。以保证所设计的浪涌电流是低
超过绝对最大脉冲漏电流额定值，
I
DM
，计算R
S
使用的ΔV的最大值
G（ SINK ）
和C
L
以及C中的最小值
S
。铝
4417f
21
