LTC4417
应用信息
P沟道的栅 - 源电压驱动负载时，
和浪涌电流，C
S
是斜率电容和C
L
是V
OUT
托起电容。输出负载电流
I
L
被忽视的简单性。选C
S
为至少10
倍外部P沟道MOSFET的C语言
的RSS （MAX）
和
C
VS
是10 C时代
S
.
R
S
瞬态电源保护
该LTC4417的开关突然因OV或UV故障
可以创建一个感性的大瞬态过压事件
输入电源，例如通过一个长的电缆连接的设备。
有时，瞬态过电压条件可以超过
额定电压的两倍。这些事件可能会损坏外部
设备和LTC4417 。至关重要的是，外部
备份到后端P沟道MOSFET器件不超过
他们的单脉冲雪崩能量规范（ EAS ）的
松开电感的应用程序和输入电压提供给
LTC4417不能超过绝对最大额定值。
为了最大限度地减少感应电压尖峰，使用更广泛和/或
较厚的铜膜。添加缓冲电路会挫伤
如线性的应用所讨论的输入的电压尖峰
注88 ，以及瞬态浪涌抑制器在输入会
钳位电压。瞬态电压抑制器（ TVS ）
应放置在任何输入电源引脚， V1 ， V2和V3 ，
其中，输入短路或反向电压连接可以是
进行。如果输入源供电V短路
OUT
是
可能的话，瞬态电压抑制器也应
放置在V
OUT
如示于图9 。
当选择瞬态电压抑制器，确保
反向断态电压（V
R
）等于或大于
该应用程序的工作电压，其峰值脉冲电流
(I
PP
）比峰值瞬态电压除以更高
源阻抗，最大钳位电压
(V
钳
）在额定余
PP
小于绝对马克西
该LTC4417和BV的妈妈评级
DSS
所有的外部
备份到后端P沟道MOSFET 。
在下面的20V应用中，瞬态电压抑制器
可以不需要，如果尖峰电压比下
BV
DSS
外部P沟道MOSFET和LTC4417的
产量
寄生
电感
C
OUT
10F
VS1
G1
V
OUT
4417 F09
(
ΔV
G（ SINK ）
– V
GS
)
C
L
R
SRC
≥
C
S
V1
垂
(16)
使用等式（ 17）来验证浪涌电流限制为低级
超过绝对最大脉冲漏极电流I
DM
.
I
侵入
=
V1
垂
R
SRC
(17)
如果外部P沟道MOSFET的反向传输
电容C
RSS
，是用C来代替
S
，替换C
S
同
C
RSS
在等式（16） ，其中C
RSS
取在最小
V
DS
电压，并计算出对R
S
。根据其大小
的C
RSS
, R
S
可能大。护理应被用来确保
门泄漏不小心关闭通道
温度。这是特别真实的内置齐纳栅
源保护的设备。细心的平台特性
强烈建议，为C
RSS
是非线性的。
前面的分析假设一个较小的输入电感
输入电源电压和EX-的漏极之间
ternal P沟道MOSFET 。如果输入电感大，
选C
V1
是比C大得多
L
并更换
SRC
与C的ESR
V1
.
当压摆率限制输出，确保电源显示
sipation不超过制造商的SOA对
选择外部P沟道MOSFET。请参阅选择
外部P沟道MOSFET部分。
输入
寄生
电感
R
SN
C
SN
缓冲器
OR
D1
SMBJ26CA
24V墙
适配器
FDD4685
M1
C
V1
0.1F
FDD4685
M2
OR
+
D2
SMBJ26A
V
OUT
C
L
330F
LTC4417
图9.瞬态电压抑制
4417f
17
