HGTG40N60B3
典型性能曲线
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
12
T
C
= +150
o
C
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，T
C
= +25
o
C
200
180
160
140
120
9V
100
80
60
8.0V
40
7.5V
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
7.0V
8.5V
9.5V
V
GE
= 15V
12V
10V
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
图1.传热特性
图2.饱和特性
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
I
CE
， DC集电极电流（ A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
DIE LIMIT
V
GE
= 15V
套餐限制
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
200
150
T
C
= -40
o
C
T
C
= +25
o
C
100
T
C
= +150
o
C
50
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3. DC集电极电流与外壳温度
图4.集电极 - 发射极导通电压
频率= 1MHz的
14
12
C，电容（ NF）
10
8
6
4
C
OSS
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
C
国际空间站
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
600
I
G（ REF ）
= 4.06毫安，R
L
= 7.5, T
C
= +25
o
C
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
450
BV
CE
= 600V
15
300
10
BV
CE
= 400V
150
BV
CE
= 200V
5
0
0
50
100
150
200
Q
G
，栅极电荷（ NC）
0
250
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图5.电容VS集电极 - 发射极电压
图6.门充电波形
9-5
