性S E M I C 0 N D ü （C T）
HGTG40N60B3
70A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
包
JEDEC风格-247
E
C
G
初步
1995年5月
特点
70A ， 600V在T
C
= +25
o
C
方形开关的SOA能力
典型下降时间 - 值为160ns ，在+ 150℃
短路额定值
低传导损耗
o
描述
该HGTG40N60B3是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。该装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。在低得多的通态压降只有变化
适度的+25
o
C和+150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
包装供货情况
产品型号
HGTG40N60B3
包
TO-247
BRAND
G40N60B3
E
端子图
N沟道增强模式
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。
以前发育类型TA49052
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTG40N60B3
600
600
70
40
330
±20
±30
160A为0.8 BV
CES
290
2.33
-40到+150
260
2
10
单位
V
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
s
s
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
集电极 - 栅极电压，R
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CGR
连续集电极电流
在T
C
= +25
o
C（包装有限公司） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= +110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
C
= +150
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
C
= +125
o
C，R
GE
= 25.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司1995年
网络文件编号
3943
9-3
特定网络阳离子HGTG40N60B3
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
CE
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
CE
= 40A
V
GE
= 15V
T
J
= +25
o
C
T
J
= +150
o
C
T
J
= +25
o
C
T
J
= +150
o
C
T
J
= +25
o
C
民
600
-
-
-
-
3.0
典型值
-
-
-
1.4
1.5
5
最大
-
250
7.5
2.0
2.3
6.0
单位
V
A
mA
V
V
V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
I
CE
= 250A,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
栅极 - 发射极漏电流
闭锁电流
I
GES
I
L
-
160
-
-
±300
-
nA
A
T
J
= +150
o
C
V
CE （ PK ）
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 45μH
I
CE
= 40A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
CE
= 40A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.0
240
350
50
40
350
160
1400
3300
-
-
320
450
-
-
435
200
-
-
0.43
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注1 ）
热阻
注意：
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
E
ON
E
关闭
R
θJC
T
J
= +150
o
C
I
CE
= 40A
V
CE （ PK ）
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 100μH
1.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的积分起始于输入脉冲的后沿与
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。该HGTG40N60B3是根据JEDEC标准24-1号测试
对于功率器件关断开关损耗测量方法。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
9-4
HGTG40N60B3
典型性能曲线
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
12
T
C
= +150
o
C
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，T
C
= +25
o
C
200
180
160
140
120
9V
100
80
60
8.0V
40
7.5V
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
7.0V
8.5V
9.5V
V
GE
= 15V
12V
10V
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
图1.传热特性
图2.饱和特性
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
I
CE
， DC集电极电流（ A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
DIE LIMIT
V
GE
= 15V
套餐限制
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
200
150
T
C
= -40
o
C
T
C
= +25
o
C
100
T
C
= +150
o
C
50
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
4
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3. DC集电极电流与外壳温度
图4.集电极 - 发射极导通电压
频率= 1MHz的
14
12
C，电容（ NF）
10
8
6
4
C
OSS
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
C
国际空间站
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
600
I
G（ REF ）
= 4.06毫安，R
L
= 7.5, T
C
= +25
o
C
20
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
450
BV
CE
= 600V
15
300
10
BV
CE
= 400V
150
BV
CE
= 200V
5
0
0
50
100
150
200
Q
G
，栅极电荷（ NC）
0
250
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图5.电容VS集电极 - 发射极电压
图6.门充电波形
9-5
QQ：2881677436 复制
