HMC572LC5
v05.0809
砷化镓MMIC I / Q下变频器
24 - 28 GHz的
典型应用
该HMC572LC5是理想的：
点至点和点对多点广播
特点
8分贝转换增益
镜频抑制： 18分贝
2 LO至RF隔离： 35分贝
噪声系数： 3.5分贝
输入IP3 ： +5 dBm的
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
军用雷达，电子战& ELINT
卫星通信
32引脚的5x5mm表面贴装封装： 25mm
工作原理图
概述
该HMC572LC5是一款紧凑型的GaAs MMIC I / Q
下变频器采用了无引线RoHS标准
SMT封装。该器件提供了一个小型的信号
8 dB转换增益为3.5 dB的噪声系数
和整个频率18分贝镜像抑制
乐队。该HMC572LC5采用的LNA之后
一个镜像抑制混频器是由一个有源×2驱动
乘数。该图像抑制混频器，无需
对于一个过滤器之后的低噪声放大器，并去除热
在图像的高频噪声。 I和Q混频器的输出
还提供与外部90 °混合是需要
选择所需的边带。该HMC572LC5是
更小的替代混合风格的镜像抑制
混频器下变频转换器组件，它消除了
需要用于引线键合通过允许使用的表面
坐骑的制造技术。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， IF = 100 MHz的LO = +4 dBm时， VDD = 3.5伏*
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益（如IRM ）
噪声系数
镜像抑制
1 dB压缩（输入）
2 LO至RF隔离
2 LO至IF隔离
IP3 （输入）
幅度平衡
相位平衡
总电源电流
*取数据截至IRM与外部IF混合
14
-6
32
30
+5
6.0
分钟。
典型值。
24.5 - 26.5
9 - 15.5
DC - 3.5
8.0
3.5
17
-4
35
40
+8
0.3
5
125
165
14
-7
30
25
+3
6
马克斯。
分钟。
典型值。
23 - 28
9 - 15.5
DC - 3.5
10
3.5
20
-5
35
40
+6
0.4
8
125
165
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
度
mA
8 - 178
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC572LC5
v05.0809
砷化镓MMIC I / Q下变频器
24 - 28 GHz的
作为IRM随着外部IF混合数据
转换增益与温度的关系
20
15
转换增益（dB ）
10
5
0
-5
-10
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
+25C
+85C
-40C
镜像抑制与温度的关系
30
镜像抑制（分贝）
25
20
8
+25C
+85C
-40C
15
10
5
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
转换增益与LO驱动
20
15
转换增益（dB ）
10
5
0
-5
-10
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
0dBm
+2dBm
+4dBm
+6dBm
+8dBm
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
RF
LO
-25
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
频率（GHz ）
输入P1dB为与温度的关系
0
输入IP3主场迎战LO驱动器
25
20
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
LO = +4 dBm的
LO = +6 dBm的
LO = 8 dBm的
-4
15
P1dB的（ DBM）
-8
IP3 （ dBm的）
10
5
0
-5
-20
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
-10
23
24
25
26
-12
+25C
+85C
-40C
-16
27
28
29
射频频率（ GHz）的
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 179
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
HMC572LC5
v05.0809
砷化镓MMIC I / Q下变频器
24 - 28 GHz的
正交信道的数据所没有IF混合
隔离
10
RF/IF2
0
中频带宽*
20
15
10
RF/IF1
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
0.5
转换增益
回波损耗
隔离度（dB ）
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
-10
-20
-30
2LO/RF
-40
-50
2LO/IF1
-60
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
2LO/IF2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
IF频率（GHz ）
幅度平衡主场迎战LO驱动
4
相位平衡主场迎战LO驱动
20
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
LO = +4 dBm的
LO = +6 dBm的
LO = 8 dBm的
3
相位平衡（度）
27
28
29
幅度平衡（分贝）
2
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
LO = +4 dBm的
LO = +6 dBm的
LO = 8 dBm的
15
10
1
5
0
0
-1
23
24
25
26
射频频率（ GHz）的
-5
23
24
25
26
27
28
29
射频频率（ GHz）的
噪声系数主场迎战LO驱动，
LO频率= 12 GHz的
8
0dBm
+2dBm
+4dBm
+6dBm
+8dBm
噪声系数主场迎战LO驱动，
IF频率为100 MHz的
10
8
噪声系数（dB ）
噪声系数（dB ）
6
6
0dBm
+2dBm
+4dBm
+6dBm
+8dBm
4
4
2
2
0
0.5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
21
22
23
24
25
26
27
28
29
IF频率（GHz ）
射频频率（ GHz）的
*采取转换增益数据与外部IF混合， LO频率fi固定为12 GHz的RF和多样
8 - 180
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC572LC5
v05.0809
砷化镓MMIC I / Q下变频器
24 - 28 GHz的
MXN杂散输出
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
12
xx
xx
xx
1
37
41
xx
xx
xx
2
12
0
66
xx
xx
3
32
37
70
xx
xx
4
45
41
46
79
xx
绝对最大额定值
RF
LO驱动
VDD
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.56毫瓦/ ° C以上85°C ）
热敏电阻（R
TH
)
（频道包装底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+2 dBm的
+ 13 dBm的
5.5V
175°C
860毫瓦
104.6 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1B类
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
8 - 181
RF = 25 GHz的@ -20 dBm的
LO = 12 GHz的@ +4 dBm的
取数据，而无需IF混合动力
以dBc的下方功率电平所有的值（ 1RF -2LO = 1千兆赫）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 30 - 80微英寸
镀金50微英寸镍最低
3.尺寸单位：英寸[毫米]为
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地
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HMC572LC5
v05.0809
砷化镓MMIC I / Q下变频器
24 - 28 GHz的
引脚说明
引脚数
1
功能
VDDlo
描述
电源的LO放大器的第一阶段。
接口示意图
8
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
2, 4 - 6, 8, 9,
12 - 18, 21, 22,
25 - 28, 31, 32
3
N / C
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地。
VddLO2
电源的LO放大器的第二阶段。
7
VDDRF
电源的射频低噪声放大器。
10, 19, 24, 29
GND
这些管脚和接地焊盘必须被连接到
RF / DC接地。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
该引脚的直流耦合应用不要求还
荷兰国际集团的操作为直流。此端口必须DC封锁
外部采用串联电容，其值有
被选择通过必要的频率范围。
对于操作DC ，该引脚不能灌/拉电流更
比目前的全部或部分无功能和可能为3 mA
失败将导致。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
11
RF
20
IF2
23
IF1
30
LO
典型用途
8 - 182
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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