UM2605
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
概述
该UM2605是最高性能的沟
N沟道和P沟道MOSFET的极端高细胞
密度，从而提供优异的导通电阻和栅
充的大部分小功率开关和
负荷开关应用。
该UM2605符合RoHS和绿色产品
全功能的可靠性要求获得批准。
产品综述
BVDSS
20V
-20V
应用
RDSON
42m
130m
ID
4.6A
-2.8A
高频点的负载同步s
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
小功率开关为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
双SOP8引脚配置
绝对最大额定值
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
2
总功耗
3
1
N沟道P沟道
20
±8
4.6
3.7
18.4
1.5
-55到150
-55到150
-20
±8
-2.8
-2.3
-11.2
1.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
1
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
60
单位
℃/W
℃/W
1
