UM2605
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
概述
该UM2605是最高性能的沟
N沟道和P沟道MOSFET的极端高细胞
密度，从而提供优异的导通电阻和栅
充的大部分小功率开关和
负荷开关应用。
该UM2605符合RoHS和绿色产品
全功能的可靠性要求获得批准。
产品综述
BVDSS
20V
-20V
应用
RDSON
42m
130m
ID
4.6A
-2.8A
高频点的负载同步s
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
小功率开关为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
双SOP8引脚配置
绝对最大额定值
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
2
总功耗
3
1
N沟道P沟道
20
±8
4.6
3.7
18.4
1.5
-55到150
-55到150
-20
±8
-2.8
-2.3
-11.2
1.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
1
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
60
单位
℃/W
℃/W
1
UM2605
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
N沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
=10V , V
GS
= 4.5V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=4A
V
DS
=15V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=1.5A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=16V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=16V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±8V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=4A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
0.3
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
分钟。
20
---
---
---
典型值。
---
0.024
34
40
50
0.5
-2.51
---
---
---
12
1.7
6.2
0.8
1.4
2.2
27.2
16.8
6.8
382
41
33
马克斯。
---
---
42
50
62
1
---
1
5
±100
---
3.4
8.7
1.1
1.96
4.4
49.0
33.6
13.6
534.8
57.4
46.2
pF
ns
nC
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
mΩ
单位
V
V/℃
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,4
2
1,4
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
I
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
4.7
1.33
马克斯。
4.6
18.4
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3，功耗为150 ℃的结温限制
4.数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
UM2605
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
P沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
=-15V , V
GS
= -4.5V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=-2A
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-16V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-16V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±8V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-2A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
-0.3
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
分钟。
-20
---
---
---
典型值。
---
-0.016
105
145
185
-0.5
3.97
---
---
---
6.3
13.1
5.6
0.72
1.45
4
25.6
26
12.4
332
48
42
马克斯。
---
---
125
170
220
-1
---
1
5
±100
---
26.2
7.8
1.0
2.0
8.0
46
52
24.8
465
67
59
pF
ns
nC
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
mΩ
单位
V
V/℃
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,4
1,4
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
23
4.7
马克斯。
-2.8
-11.2
-1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= -2A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3，功耗为150 ℃的结温限制
4.数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
5
QQ：2881677436 复制
