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D
R
A
FT
D
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A
FT
恩智浦半导体
LPC81xM
FT
FT
D
D
R
R
A
A
FT
FT
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D
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A
FT
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A
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D
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A
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A
D
D
R
A
FT
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
FT
D
A
D
R
A
R
A
FT
D
R
FT
12.模拟特性
12.1 BOD
表20.董事会静态特性
[1]
T
AMB
= 25
C.
符号
V
th
参数
阈值电压
条件
中断级别1
断言
解除断言
中断2级
断言
解除断言
中断3级
断言
解除断言
复位电平0
断言
解除断言
复位电平1
断言
解除断言
复位电平2
断言
解除断言
复位电平3
断言
解除断言
[1]
D
R
R
A
FT
D
R
R
A
F
D
R
A
FT
A
FT
A
FT
D
R
A
D
FT
D
R
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
<tbd>
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
中断级被写入电平值的BOD控制寄存器BODCTRL选择。
12.2 POR
表21. POR静态特性
T
AMB
= 25
C.
符号
V
th
参数
条件
V
DD
rising<tbd>
V
DD
falling<tbd>
-
<tbd>
-
V
民
典型值
最大
单位
LPC81xM
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目标数据表
1.0版 - 2012年11月7日
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