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D
R
A
FT
D
R
A
FT
恩智浦半导体
LPC81xM
FT
FT
D
D
R
R
A
A
FT
FT
D
D
R
R
A
FT
R
A
FT
D
D
D
R
A
D
R
A
D
D
R
A
FT
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
FT
D
A
D
R
A
R
A
FT
D
R
FT
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
[1]
符号
V
DD
V
I
参数
电源电压（核心和外部导轨）
输入电压
5 V容限I / O
销;唯一有效的
当V
DD
电源电压是
现
5 V的开漏引脚
PIO0_10和
PIO0_11
3 V容限I / O引脚
PIO0_6
V
IA
模拟输入电压
条件
[2]
[3]
D
R
R
A
FT
D
R
R
A
F
D
R
A
FT
A
FT
A
FT
D
D
民
0.5
0.5
最大
+4.6
+5.5
单位
V
V
R
A
FT
D
R
A
[4]
0.5
+5.5
V
[5]
0.5
0.5
V
+3.6
4.6
V
V
[6]
[7]
V
我（ XTAL ）
I
DD
I
SS
I
LATCH
晶振输入电压
电源电流
地电流
I / O闩锁电流
每个电源引脚
每个接地引脚
(0.5V
DD
） ＆ LT ; V
I
＆ LT ;
(1.5V
DD
);
T
j
＆ LT ; 125
C
非工作
基于包
传热，不
设备电源
消费
人体
模型;所有引脚
[2]
0.5
-
-
-
+2.5
100
100
100
V
mA
mA
mA
T
英镑
T
J（下最大）
P
TOT （包）
储存温度
最高结温
总功耗（每包）
[8]
65
-
-
+150
150
<tbd>
C
C
W
V
ESD
静电放电电压
[9]
-
<tbd>
V
[1]
以下内容适用于极限值：
a）本产品包含的电路具体来说设计的，其内部设备的过度破坏作用的保护
静电荷。然而，我们认为，常规采取预防措施，以避免施加大于额定
最大。
B）参数是有效的工作温度范围内，除非另有规定ED 。所有的电压是相对于V
SS
除非
另有说明。
C）的极限值仅为应力额定值，并在这些值操作的部分，不建议和正确的操作是不
保证。为功能性操作的条件中指定的
表9 。
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
高于最大工作电压的最大/最小电压（见
表9）
和地面以下，可应用于很短的时间
（ < 10毫秒）到设备，而导致不可恢复的破坏。故障包括可靠性的损失和更短的寿命的装置。
包括电压在三态模式输出。不适用于引脚PIO0_6 。
V
DD
存在或不存在。符合我
2
C总线标准。 5.5 V可以应用到该引脚时， V
DD
断电。
V
DD
存在或不存在。
如果比较器被配置成与所述共模输入V
IC
= V
DD
外，其他的比较器输入可高达0.2 V的上方或下方
V
DD
在不影响比较器功能的滞后范围。
建议连接之间的模拟输入引脚和电源引脚上的过电压保护二极管。
LPC81xM
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目标数据表
1.0版 - 2012年11月7日
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