
TK15A60D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSⅥ )
TK15A60D
开关稳压器的应用
Ф3.2
±
0.2
10
±
0.3
单位:mm
2.7
±
0.2
A
3.9 3.0
1.14
±
0.15
2.8 MAX 。
2.54
1
2
3
2.6
±
0.1
13
±
0.5
0.69
±
0.15
Ф0.2
M A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
15
60
50
527
15
5.0
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
2.54
0.64
±
0.15
15.0
±
0.3
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.31
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 8.5 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :排水
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
4.1 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
15 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2010-08-12
4.5
±
0.2