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TK15A60D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSⅥ )
TK15A60D
开关稳压器的应用
Ф3.2
±
0.2
10
±
0.3
单位:mm
2.7
±
0.2
A
3.9 3.0
1.14
±
0.15
2.8 MAX 。
2.54
1
2
3
2.6
±
0.1
13
±
0.5
0.69
±
0.15
Ф0.2
M A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
15
60
50
527
15
5.0
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
2.54
0.64
±
0.15
15.0
±
0.3
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.31
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 8.5 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :排水
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
4.1 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
15 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2010-08-12
4.5
±
0.2
TK15A60D
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
V
DD
200 V
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
15 A
1%, t
w
=
10
μs
150
45
28
17
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
7.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
600 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
7.5 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
7.5 A
600
2.0
2.4
典型值。
0.31
8.5
2600
11
280
50
100
25
最大
±1
10
4.0
0.37
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
26
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
15 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
15 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
1700
26
最大
15
60
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日,安理会就使用某些的限制
在电子电气设备中有害物质
K15A60D
产品型号
(或缩写代码)
LOT号
注4
2
2010-08-12
TK15A60D
I
D
– V
DS
20
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
7.25
40
I
D
– V
DS
共源10
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
7.75
(A)
16
7
(A)
30
7.5
漏电流I
D
12
6.75
漏电流I
D
20
7.25
7
8
6.5
6
4
VGS
=
5.5 V
0
0
10
6.5
VGS
=
6 V
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
50
(A)
40
8
漏电流I
D
漏源电压
30
6
ID = 15 A
4
7.5
2
3.75
20
25
10
100
Tc
= 55°C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
R
DS ( ON)
– I
D
10
10
100
Tc
= 55°C
25
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1
1
VGS = 10 , 15 V的
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2010-08-12
TK15A60D
R
DS ( ON)
TC =
1.6
I
DR
– V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(
Ω)
1.2
1.0
0.8
7.5
0.6
0.4
0.2
0
80
ID
=
3.75 A
15
反向漏电流
I
DR
(A)
常见的来源
V
=
10 V
1.4 GS
脉冲测试
10
1
10
5
3
1
VGS
=
0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
西塞
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
(PF )
1000
科斯
100
4
C
电容
3
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
1
0.1
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
80
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
200
VDD
=
100 V
60
16
漏源电压
300
400
12
40
200
VGS
100
20
8
常见的来源
ID
=
15 A
Tc
=
25°C
4
脉冲测试
0
0
40
80
120
160
0
0
20
40
60
0
80
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
4
2010-08-12
TK15A60D
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
2.5 ° C / W
0.01
0.01
0.001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
μs
*
1毫秒
*
600
E
AS
– T
ch
10
雪崩能量
E
AS
(兆焦耳)
ID MAX(连续)
500
I
D
(A)
400
300
1
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
200
0.1
100
* :单不重复
0.01
脉冲TC = 25℃
曲线必须是
降低额定功率减线性
增加
温度。
10
0
25
50
75
100
125
150
通道温度(初始)
T
ch
(°C)
VDSS最大
100
1000
0.001
1
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V,L
=
4.1 mH的
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2010-08-12
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK15A60D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
TK15A60D
TOSHIBA
17+ROHS
560
TO22OF
假一赔十进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TK15A60D
AVAGO
24+
18650
SOT-23
原装新到货,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TK15A60D
TOSHIBA
2016+
6523
TO-220F
只做进口原装现货!或订货假一赔十!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TK15A60D
TOSHIBA
21+
20000
TO-220F
只做原装实单申请
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TK15A60D
TOSHIBA
20+
4900
TO-220F
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885681663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885628592 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885665079 复制

电话:13008842056
联系人:张先生
地址:广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406
TK15A60D
TOSHIBA
1820
3700
TK15A60D
公司现货!欢迎咨询。假一赔百支持发货。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ:839051306 复制
电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
TK15A60D
TOSHIBA
2023+
225000
TO220F
TOSHIBA东芝原厂正品,假一罚十,可开票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TK15A60D
TOSHIBA/东芝
21+
18600
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1554146599 复制

电话:0510-87070646
联系人:许先生
地址:宜兴环保科技园岳阳苑大厦502-602室(开13%增票)
TK15A60D
TOSHIBA东芝
24+
64000
【原装】
★㊣ 一级代理 原装现货★
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
TK15A60D
TOSHIBA/东芝
25+
32560
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