SSM6J503NU
V
th
- TA
常见的来源
VDS = -3 V
为ID = -1毫安
(S)
-1.0
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
30
VDS
=
-3 V
Ta
=
25 °C
脉冲测试
10
V
th
(V)
-0.8
-0.6
正向转移导纳
栅极阈值电压
|Y
fs
|
3.0
-0.4
1.0
-0.2
0.3
0
50
0
50
100
150
0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
环境温度
Ta
(°C)
漏电流
I
D
(A)
10000
5000
- V
DS
-8
动态输入特性
（PF ）
3000
西塞
(V)
V
GS
-6
C
VDD
=
-10 V
VDD
=
-16 V
1000
500
300
电容
栅源电压
-4
100
50
30
常见的来源
Ta
=
25 °C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
-1
-10
科斯
CRSS
-2
常见的来源
ID
=
-4.0 A
Ta
=
25 °C
0
0
10
20
30
10
-0.1
-100
漏源电压
V
DS
(V)
总栅极电荷
Qg
（ NC ）
10000
花花公子
tf
吨 - 我
D
常见的来源
VDD = -10 V
VGS = 0至-2.5 V
TA = 25℃
RG = 4.7Ω
I
DR
– V
DS
100
常见的来源
VGS
=
0 V
脉冲测试
D
I
DR
G
1
(A)
I
DR
10
（纳秒）
1000
100
反向漏电流
S
开关时间
t
0.1
吨
10
tr
0.01
100 °C
0.001
0
25 °C
25
°C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
0.2
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
4
2011-01-26
