SSM6J503NU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
SSM6J503NU
电源管理开关应用
1.5V驱动
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 89.6毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 57.9毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 41.7毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 32.4毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
（注1 ）
P
D
（注2 ）
t
≦10s
T
ch
T
英镑
等级
20
±8
6.0
-24.0
1
2
150
55
150
单位
V
V
A
功耗
通道温度
储存温度
W
°C
°C
1,2,5,6 ：排水
3 ：门
4 ：源
注意：
UDFN6B
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
JEDEC
―
温度等）可能会导致此产品在减少
JEITA
―
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
东芝
2-2AA1A
绝对最大额定值。
重量： 8.5毫克（典型值）。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
注1：脉冲宽度有限的最大通道温度。
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
打标（顶视图）
6
5
4
等效电路（顶视图）
6
5
4
端子状态（顶视图）
6
5
4
SP3
漏
1
1
2
3
2
3
来源
1
2
3
极性标记
极性标记（在顶部）
*电极：在底部
1
2011-01-26
