ST2304SRG
N沟道增强型MOSFET
3.2A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=30V,V
GS
=1.0V
30
1.0
3.0
±
100
1
10
6
4
0.052
0.067
0.090
0.100
0.044
0.060
V
V
nA
I
DSS
V
DS
=30V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≧
4.5V,V
GS
=10V
V
DS
≧
4.5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=10V,I
D
=3.2A
V
GS
=4.5V,I
D
=2.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=1.5A
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5V
I
S
=1.25A,V
GS
=0V
uA
A
Ω
S
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
4.6
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=15V
V
GS
=10V
I
D
≡
2.5A
V
DS
=15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=15V
R
L
=15
Ω
I
D
=1.0A
V
根
=10V
R
G
=6
Ω
4.5
0.8
1.0
240
110
17
8.0
12
17
8.0
10
nC
pF
20
30
35
20
nS
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
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ST2304SRG 2005 V1
